[发明专利]一种含陨石碳质晶体纳米管的屏蔽电磁波的聚乙烯复合膜及其制备方法

权利要求书

1.一种含陨石碳质晶体纳米管的屏蔽电磁波的聚乙烯复合膜，其特征是包括基体膜、反射层和基体膜表面镀层，其中基体膜表面镀层和反射层为金属镀层，镀层平均厚度为2～18μm；所述基体膜为含有电磁波屏蔽添加剂的聚乙烯树脂膜；所述电磁波屏蔽添加剂为含镍多晶铁纤维、陨石碳质晶体纳米管和金属导电粉的混合物，所述含镍多晶铁纤维与陨石碳质晶体纳米管的重量比为1:7～7:1；其中含镍多晶铁纤维的纤维直径范围为2～28μm，纤维长度范围为1～45mm；所述陨石碳质晶体纳米管的直径范围为10～100nm，长度范围1～50μm，所述金属导电粉为铝粉、镍粉或铜粉中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的一种含陨石碳质晶体纳米管的屏蔽电磁波的聚乙烯复合膜，其特征是所述基体膜中以聚乙烯树脂100重量份数计，含有所述电磁波屏蔽添加剂为10～90重量份。

3.根据权利要求1所述的一种含陨石碳质晶体纳米管的屏蔽电磁波的聚乙烯复合膜，其特征是所述基体膜中以聚乙烯树脂100重量份数计，含有1～5重量份数的硅烷偶联剂。

4.根据权利要求3所述的一种含陨石碳质晶体纳米管的屏蔽电磁波的聚乙烯复合膜，其中所述硅烷偶联剂选自γ—氨丙基三乙氧基硅烷、g-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅和乙烯基三乙氧基硅烷中的至少一种。

5.根据权利要求1～4之任一项所述一种含陨石碳质晶体纳米管的屏蔽电磁波的聚乙烯复合膜的制备方法，包括以下步骤：

①将所述包括聚乙烯树脂和电磁波屏蔽添加剂在内的各组分按所述重量比充分混合；

②将上述混合料经过熔融共混制得所述聚乙烯基体膜的粒料；

③再将此粒料经吹膜成型得到所述聚乙烯基体膜；

④将金属粉镀在上述聚乙烯基体膜上形成所述厚度的反射层；

将金属粉镀在上述反射层上形成所述厚度的金属镀层，从而得到聚乙烯复合膜。

6.根据权利要求5所述的一种含陨石碳质晶体纳米管的屏蔽电磁波的聚乙烯复合膜的制备方法，其中在所述步骤①之前对电磁波屏蔽添加剂进行如下处理：将所述硅烷偶联剂稀释后加入所述电磁波屏蔽添加剂中，并在高速搅拌设备中充分混合，之后干燥得到偶联剂改性处理的电磁波屏蔽添加剂。