[发明专利]一种半导体器件隧道式硬化炉

权利要求书

1.一种半导体器件隧道式硬化炉，其特征在于，包括：

硬化炉基台、加热平台、输送机构、炉盖和电控平台，所述加热平台设置在硬化炉基台上，用于为半导体器件加热；所述输送机构跨设在所述加热平台两端，通过钢丝为输送工具将半导体器件输送于加热平台；所述炉盖设置在加热平台上，用于在硬化炉基台上形成隧道式加热腔；所述电控平台与加热平台和输送机构电连接，用于控制硬化炉加热和自动输送；

采用钢丝为输送工具的具体方法为：首先，钢丝升起将半导体器件抬升；然后，钢丝带动半导体器件向加热平台移动；当到达预设位置时，钢丝降落将半导体器件置于加热平台上；最后钢丝放回起始位置，以此往复运动实现将半导体器件输送于加热平台；

所述输送机构具体包括：

用作基础安装平台的输送大板，所述输送大板设置在硬化炉基台上；在所述输送大板左右两端分别设有水平移动的移动座，两端的移动座通过连接轴连接；在移动座上固定有输送升降电机，所述输送升降电机的轴与连接轴连接，在所述连接轴两端固定有凸轮，所述移动座内设有升降座，所述升降座下方安装有与所述凸轮接触的凸轮轴承随动器，两端移动座内的升降座通过连接块连接，所述输送升降电机通过带动连接轴上的凸轮传动两端升降座同时升降；在所述输送大板上设有输送移动电机，所述输送移动电机带动移动座上的丝杠转动，移动座通过丝杠转动进行左右移动；在两端的升降座固定有钢丝固定板，钢丝固定板上设有多条钢丝；

所述加热平台具体包括：用于与半导体器件接触加热的加热大板，所述加热大板固定在输送大板上；所述加热大板上有多条凹槽结构，所述凹槽用于容纳所述输送机构的钢丝，加热大板固定在平台固定座上，加热大板下方固定有多个加热模块和冷却模块，单个加热模块或冷却模块形成一个温度区，加热模块和冷却模块的数量根据各半导体器件的硬化工艺配置。

2.根据权利要求1所述的硬化炉，其特征在于，还包括用于将半导体器件自动送入所述输送机构的入料机构，所述入料机构包括入料辊棒安装座，入料辊棒安装座上安装有入料辊棒和入料电机，入料辊棒和入料电机的一端固定有同步轮，同步带缠绕在同步轮和轴承之间，所述钢丝设置在入料辊棒的间隙之间。

3.根据权利要求2所述的硬化炉，其特征在于，还包括用于半导体器件自动送出所述输送机构的出料机构，所述出料机构包括出料输送固定座，在所述出料输送固定座上垂直固定有第一单轴驱动器；所述第一单轴驱动器是由丝杠和直线导轨综合起来的一体型的传动装置，所述第一单轴驱动器上设置有可垂直升降的第一滑块；在所述第一滑块上固定有出料辊棒安装座；在所述出料辊棒安装座设有若干出料辊棒，所述第一单轴驱动器用于将出料辊棒抬起将输送机构的钢丝上的半导体器件送走。

4.根据权利要求3所述的硬化炉，其特征在于，还包括用于半导体器件自动推送出所述出料机构的推送机构，所述推送机构包括推送固定座，所述推送固定座上水平固定有第二单轴驱动器；所述第二单轴驱动器是由丝杠和直线导轨综合起来的一体型的传动装置，在第二单轴驱动器上设置有可水平移动的第二滑块；在第二滑块上固定有推杆，所述第二单轴驱动器用于控制推杆将出料机构上的半导体器件推送至下一自动机构。

5.根据权利要求4所述的硬化炉，其特征在于，还包括用于半导体器件自动收纳入料盒的料盒升降机构，所述料盒升降机构包括料盒升降固定座，所述料盒升降固定座上垂直固定有第三单轴驱动器；所述第三单轴驱动器是由丝杠和直线导轨综合起来的一体型的传动装置，所述第三单轴驱动器上设置有可垂直升降的第三滑块；在所述第三滑块上固定设置有料盒托架，所述料盒托架上设置有料盒；所述料盒内有若干收纳LED支架的容纳槽；料盒升降固定座固定在所述出料输送固定座上，料盒升降机构与出料输送机构的出料辊棒之间设有过渡导向槽，所述第三单轴驱动器用于控制料盒适配所述过渡导向槽的高度。

6.根据权利要求5所述的硬化炉，其特征在于，所述炉盖包括上保温板，在所述上保温板的四周设有第二隔热板，且内部填充有隔热材料；所述炉盖铰链连接在加热平台上的后方侧，在前方单侧将炉盖揭起。