[发明专利]磁传感器装置、磁性编码器装置及磁传感器在审

专利信息
申请号: 201410717574.0 申请日: 2014-12-01
公开(公告)号: CN104697555A 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 横内毅 申请(专利权)人: 日本电产三协株式会社
主分类号: G01D5/165 分类号: G01D5/165
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 胡晓萍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 传感器 装置 磁性 编码器
【权利要求书】:

1.一种磁传感器装置,包括:

磁介质;以及

磁传感器,该磁传感器与所述磁介质相对,并对伴随着与所述磁介质的相对移动而产生的磁场变化进行检测,

在所述磁介质上沿着所述磁介质与所述磁传感器的相对移动方向交替地配置有S极和N极,其特征在于,

所述磁传感器沿着所述相对移动方向包括多个磁阻元件,

所述多个磁阻元件中的相邻的磁阻元件的间隔为所述磁阻元件的宽度尺寸以上。

2.如权利要求1所述的磁传感器装置,其特征在于,

所述多个磁阻元件被配置成抵消谐波分量。

3.如权利要求2所述的磁传感器装置,其特征在于,

所述多个磁阻元件被配置成抵消三阶谐波分量及五阶谐波分量。

4.如权利要求3所述的磁传感器装置,其特征在于,

所述磁阻元件隔着下式所获得的距离:[n/2±m/(2×k)]λ,其中,n=整数,m=奇数,k=奇数谐波阶数,λ=磁极间隔。

5.如权利要求4所述的磁传感器装置,其特征在于,

在所述多个磁阻元件中包括隔着λ/6间隔的磁阻元件对和隔着(λ/2+λ/10)间隔的磁阻元件对。

6.如权利要求1所述的磁传感器装置,其特征在于,

所述磁阻元件的厚度比所述磁阻元件的宽度薄。

7.一种磁性编码器装置,包括权利要求1至6中任一项所述的磁传感器装置,其特征在于,

所述磁传感器和所述磁介质沿着S极和N极排列的方向相对地进行直线移动。

8.一种磁性编码器装置,包括权利要求1至6中任一项所述的磁传感器装置,其特征在于,

所述磁传感器和所述磁介质沿着S极和N极排列的方向相对地进行旋转移动。

9.一种磁传感器,其特征在于,

在第一方向上延伸的多个磁阻元件被排列在与该第一方向交叉的第二方向上,

所述多个磁阻元件中的相邻的磁阻元件的间隔为所述磁阻元件的宽度尺寸以上。

10.如权利要求9所述的磁传感器,其特征在于,

所述磁阻元件的厚度比所述磁阻元件的宽度薄。

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