[发明专利]芯片表面接触压力计算方法及变尺度可制造性设计方法

权利要求书

1.一种芯片表面接触压力计算方法，其特征在于，包括：

对芯片所在的晶圆表面进行网格划分，将所述晶圆表面划分成多个第一网格；

利用接触力学方程组计算各第一网格的接触压力，获得所述晶圆表面的接触压力分布，记为第一接触压力分布；

对各第一网格进行划分，将所述第一网格划分成多个第二网格；

利用接触力学方程组计算各第二网格的接触压力，获得各第一网格内部的接触压力分布，记为第二接触压力分布；

根据各第二网格内的线宽，计算各第二网格内的接触压力分布，记为第三接触压力分布，获得芯片表面的接触压力分布。

2.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，利用接触力学方程组计算各第二网格的接触压力，获得各第一网格内部的接触压力分布，记为第二接触压力分布包括：

根据所述第一网格在晶圆表面的位置，获得各第一网格的接触压力；

利用接触力学方程组计算各第二网格的接触压力，获得各第一网格内部的接触压力分布，记为第二接触压力分布。

3.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，根据各第二网格内的线宽，计算各第二网格内的接触压力分布，记为第三接触压力分布包括：

对于内部互连线线宽小于第一预设数值的第二网格，利用所述第二网格内部的互连线的几何图形特征，计算所述第二网格内的接触压力分布；

对于内部互连线线宽不小于第一预设数值的第二网格，利用接触力学方程，计算所述第二网格内的接触压力分布。

4.根据权利要求3所述的计算方法，其特征在于，对于内部互连线线宽小于第一预设数值的第二网格，利用所述第二网格内部的互连线的几何图形特征，计算所述第二网格内的接触压力分布包括：

根据所述第二网格在所述第一网格中的位置，获得所述第二网格的接触压力；

提取所述第二网格内互连线的图形特征；

根据所述第二网格接触压力和所述第二网格内的互连线的几何图形特征，计算所述第二网格内的接触压力分布。

5.根据权利要求4所述的计算方法，其特征在于，根据所述第二网格接触压力和所述第二网格内的互连线的几何图形特征，计算所述第二网格内的接触压力分布包括：

利用公式：

P_uAρ+P_dA(1-ρ)＝F₀ (1.3)

计算所述第二网格内的接触压力分布；其中，P_u，P_d，P_e分别表示第二网格中图形结构突出部分、凹陷部分及凸凹压力相等时的压力分布，A为研磨垫与第二网格的接触面积，ρ为第二网格内部互连线的密度，w为第二网格内部互连线的线宽，θ是比例参数，F₀为第二网格的接触压力，h和h_c分别为第二网格内凸凹表面的相对高度差异及临界相对高度差异。

6.根据权利要求3所述的计算方法，其特征在于，对于内部互连线线宽不小于第一预设数值的第二网格，利用接触力学方程，计算所述第二网格内的接触压力分布包括：

根据所述第二网格在所述第一网格中的位置，获得所述第二网格的接触压力；

提取所述第二网格内互连线的图形特征；

根据所述第二网格的接触压力和所述第二网格内的互连线的图形特征，利用接触力学方程，计算所述第二网格内的接触压力分布。