[发明专利]一种高反射光学介质薄膜反射相移的修正方法

权利要求书

1.一种高反射光学介质薄膜反射相移的修正方法，其特征在于，所述修正方法包括如下步骤：

步骤S1：设置离子源溅射薄膜的参数，参数设置范围包括：离子束溅射电压1000V～1300V、离子束溅射电流500mA～800mA、中和器发射电流600mA～1000mA，氧气流量10sccm～40sccm；

步骤S2：利用上述的参数完成高反射光学介质薄膜的基本膜系‘基底/(HL)^mH 2L/空气’的制备，完成后利用椭圆偏振仪测量反射相移δ(°)；

步骤S3：假设设计要求的反射相移为δ₀，计算需要修正的相移量Δ＝δ-δ₀；

步骤S4：当Δ>0时，利用离子束溅射沉积参数，再分别沉积保护膜T1、T2、…、Tn秒，其中n为≥1的正整数，利用椭圆偏振仪测量不同时间下反射相移分别为δ1、δ2、…、δn，其中n为≥1的正整数，则相应时间下相移的正向修正量分别为δ1－δ0、δ2－δ0、…、δn－δ0，其中n为≥1的正整数，利用最小二乘法拟合计算出正向修正速率xx；

当Δ<0时，设置刻蚀离子源溅射的参数，参数设置范围包括：离子束溅射电压800V～1000V、离子束溅射电流100mA～300mA、中和器发射电流100mA～400mA，氧气流量10sccm～40sccm；利用该参数分别对保护膜进行刻蚀T1’、T2’、…、Tn’秒，其中n为≥1的正整数，利用椭圆偏振仪测量不同刻蚀时间下反射相移分别为δ1’、δ2’、…、δn’，其中n为≥1的正整数，则相应时间下相移的反向修正量分别为δ0－δ1’、δ0－δ2’、…、δ0－δn’，其中n为≥1的正整数，利用最小二乘法拟合计算出正向修正速率yy；

步骤S5：若待修正高反膜的反射相移为δ’，要求值为δ0时，相移修正量为Δ＝∣δ’-δ0∣，则正向修正时间为x＝Δ/xx，反向修正时间为y＝Δ/yy；

由此实现对高反射光学介质薄膜反射相移正向和反向的修正。