[发明专利]金属氧化物薄膜的生产方法及薄膜晶体管基板的生产方法

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜的制备方法，包括根据目标产品所需的不同膜质成分，使用两种以上不同成分比例的靶材，通过控制成膜速度和成膜时间，将所述靶材上的物质沉积在基板上，来得到含有不同的膜质成分的金属氧化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述靶材为铟镓锌氧靶材。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，使用两种不同成分比例的铟镓锌氧靶材。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，使用的第一靶材的In:Ga:Zn:O＝2:m:n:9，其中m选自1.2-2.8，n选自1.5-3.2；使用的第二靶材的In:Ga:Zn:O＝2:2:j:k，其中j值介于1.0-3.0，k介于5-10。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，根据金属氧化物薄膜的薄膜阻抗、迁移率和透明度的要求，控制所述成膜速度和成膜时间得到所述金属氧化物薄膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜的薄膜阻抗为0.1～1000Ω*cm。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜的迁移率为10～20cm²/VS。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜的透明度大于80％。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，将第一靶材和第二靶材交错设置在同一成膜设备中，通过轰击所述交错设置的第一靶材和第二靶材来得到所述金属氧化物薄膜。

10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，将所述第一靶材和第二靶材分别置于不同成膜设备中，将所述基板分别依次置入不同成膜设备中进行成膜，得到所述金属氧化物薄膜。