[发明专利]存储器、包括存储器的存储系统及操作存储系统的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年12月4日提交的申请号为10-2013-0149734的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例大体涉及存储器和包括存储器的存储系统，且更具体地涉及存储器的刷新技术。

背景技术

存储器件的存储器单元中的每个包括用作开关的晶体管以及储存电荷或数据的电容器。数据的逻辑电平，或是具有逻辑值1的“高”或是具有逻辑值0的“低”，由存储器单元的电容器中的电荷决定，即，根据电容器的端电压为高还是为低决定。

数据以累积在电容器中的电荷的形式储存。因此，在原理上，不消耗电能。然而，储存在电容器中的初始电荷量可能由于金属-氧化物半导体“MOS”晶体管的PN键合所引起的泄漏电流而减少，数据可能会丢失。为了防止数据丢失，在存储器单元的数据丢失之前读取存储器单元的数据，且对存储器单元重新充电，从而基于读取的信息来保持电荷量。这种操作必须针对存储器单元迭代地且周期地执行以保持数据。对存储器单元重新充电的操作被称为刷新操作。

每当从存储器控制器向存储器件施加刷新命令时，执行刷新操作。存储器控制器在考虑存储器件的数据保持时间的预定时间向存储器件施加刷新命令。例如，当存储器件具有64ms的数据保持时间且要刷新存储器件内部的全部存储器单元时，施加刷新命令8000次。即，存储器控制器在64ms内向存储器件施加刷新命令8000次。

存储器控制器在刷新命令从存储器控制器施加至存储器件的时段期间的等待时间成为存储器件的操作性能下降的主要因素。因此，需要开发能够防止由刷新操作引起存储器件性能劣化的技术。

发明内容

本发明的一个实施例针对可以将由刷新操作引起的存储器件的性能上的劣化最小化的技术。

根据本发明的一个实施例，一种存储系统可以包括：存储器控制器，适于向存储器件施加刷新命令和表示要执行刷新操作的次数的刷新操作次数信息；以及所述存储器件，适于响应于所述刷新命令而将刷新操作执行与所述刷新操作次数信息表示的一样多的次数。

根据本发明的另一个实施例，一种操作存储系统的方法，包括：从存储器控制器向存储器件施加刷新命令和表示要执行刷新操作的次数的刷新操作次数信息；以及在所述存储器件中将刷新操作执行与所述刷新操作次数信息表示的一样多的次数。

根据本发明的另一个实施例，一种存储器件可以包括：译码器，适于对输入信号进行译码以产生内部刷新命令信号和刷新操作次数码；刷新信号发生器，适于响应于所述内部刷新命令信号和所述刷新操作次数码而将刷新信号使能与所述刷新操作次数码表示的一样多的次数；以及刷新控制器，适于将单元阵列的行控制为当所述刷新信号被使能时顺序地刷新。

附图说明

图1说明根据本发明的一个实施例的存储系统100。

图2说明用于操作图1中所示的存储系统100的方法。

图3是说明图1中所示的存储器件110的框图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以不同形式实施且不应当被解释为局限于本文所列的实施例。更确切地，提供这些实施例使得本公开将全面和完整，且将向本领域的技术人员全面地传达本发明的范围。在本发明的实施例的描述中，与本发明点不相关的已知结构可能被省略。另外，在本公开中，相似的附图标记在本发明的各个附图和实施例中表示相似的部分。在本说明书中还应注意的是，“使能”及其任何变型表示“激活”和/或“使得其工作”。另外，只要未在句中特意提及，单数形式可以包括复数形式。

图1说明根据本发明的一个实施例的存储系统100。

参见图1，存储系统100包括存储器件110和存储器控制器120。