[发明专利]制造用于封装件的基板的方法在审
申请号: | 201410721412.4 | 申请日: | 2014-12-02 |
公开(公告)号: | CN104779172A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 李昌普;洪大祚;洪明镐 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 用于 封装 方法 | ||
1.一种制造用于封装件的基板的方法,所述方法包括:
在未涂覆的基板上形成阻焊层以覆盖电极焊盘,所述未涂覆的基板具有形成在其上的所述电极焊盘;
通过将所述阻焊层划分成包括第一区域和第二区域的区域并且曝光所述区域中的某一些来曝光某些区域,其中,所述第一区域覆盖某些或全部的电极焊盘,并且所述第二区域形成在所述第一区域之外,以及;
利用高能光来显影包括曝光区域和未曝光区域的所述阻焊层,以使得所述第一区域的剩余高度低于所述第二区域的剩余高度并且所述第一区域中的所述电极焊盘的至少上表面被曝光。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在利用所述高能光显影所述阻焊层时,根据所述曝光区域和所述未曝光区域中的所述阻焊层的内部键合强度之间的差异,所述第一区域的显影深度形成为深于所述第二区域的显影深度。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,在曝光某些区域时,通过光固化反应波长带的光来曝光和光固化除了负型的所述阻焊层的所述第一区域以外的一个或多个区域,并且
在利用所述高能光显影所述阻焊层时,通过所述光固化反应波长带之外的所述高能光显影所述阻焊层。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,在曝光某些区域时,曝光正型的所述阻焊层的所述第一区域。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,在利用所述高能光显影所述阻焊层时,将紫外光或红外光用作所述高能光。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,在利用所述高能光显影所述阻焊层时,所述第一区域的所述阻焊层的高度被显影为低于所述第一区域中的所述电极焊盘的所述上表面。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,在曝光某些区域时,所述第二区域形成在所述第一区域的外部。
8.根据权利要求1所述的方法,进一步包括后固化由所述高能光显影的所述阻焊层。
9.根据权利要求3所述的方法,进一步包括后固化由所述高能光显影的所述阻焊层。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,被后固化的所述阻焊层的所述第一区域和所述第二区域具有形成为彼此不同的表面特性。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,被后固化的所述阻焊层的所述第一区域和所述第二区域具有形成为彼此不同的表面特性。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,被后固化的所述阻焊层的所述第一区域具有形成为比所述第二区域的表面粗糙度大的表面粗糙度。
13.根据权利要求8所述的方法,其中,在曝光某些区域时,所述阻焊层被划分为所述第一区域、所述第二区域以及形成在所述第一区域和所述第二区域之外的第三区域,并且利用不同的曝光能量顺序地曝光某些区域,从而形成第一曝光区域、第二曝光区域和所述未曝光区域。
在利用所述高能光显影所述阻焊层时,通过使用所述高能光来显影所述第一曝光区域和所述第二曝光区域以及所述未曝光区域,以使得所述第一区域的剩余高度低于所述第二区域的剩余高度,所述第一区域中的所述电极焊盘的至少所述上表面被曝光,并且所述第二区域的剩余高度低于所述第三区域的剩余高度。
14.根据权利要求9所述的方法,其中,在曝光某些区域时,所述阻焊层被划分为所述第一区域、所述第二区域以及形成在所述第一区域和所述第二区域之外的第三区域,并且利用不同的曝光能量顺序地曝光某些区域,从而形成第一曝光区域、第二曝光区域和所述未曝光区域,并且
在利用所述高能光显影所述阻焊层时,通过使用所述高能光来显影所述第一曝光区域和所述第二曝光区域以及所述未曝光区域,以使得所述第一区域的剩余高度低于所述第二区域的剩余高度,所述第一区域中的所述电极焊盘的至少所述上表面被曝光,并且所述第二区域的剩余高度低于所述第三区域的剩余高度。
15.根据权利要求13所述的方法,其中,被后固化的所述阻焊层的所述第一区域具有形成为比所述第二区域和所述第三区域的表面粗糙度大的表面粗糙度。
16.根据权利要求8所述的方法,其中,在曝光某些区域时,所述第二区域形成在所述第一区域的外部,并且
所述方法进一步包括通过在被后固化的所述阻焊层上涂布、部分地曝光和显影额外的阻焊剂来形成从所述第二区域的边缘区域突出的第三区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社,未经三星电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410721412.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件的制造方法及半导体器件
- 下一篇:铝残留的去除方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造