[发明专利]制造用于封装件的基板的方法在审

专利信息
申请号: 201410721412.4 申请日: 2014-12-02
公开(公告)号: CN104779172A 公开(公告)日: 2015-07-15
发明(设计)人: 李昌普;洪大祚;洪明镐 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 制造 用于 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种制造用于封装件的基板的方法,所述方法包括:

在未涂覆的基板上形成阻焊层以覆盖电极焊盘,所述未涂覆的基板具有形成在其上的所述电极焊盘;

通过将所述阻焊层划分成包括第一区域和第二区域的区域并且曝光所述区域中的某一些来曝光某些区域,其中,所述第一区域覆盖某些或全部的电极焊盘,并且所述第二区域形成在所述第一区域之外,以及;

利用高能光来显影包括曝光区域和未曝光区域的所述阻焊层,以使得所述第一区域的剩余高度低于所述第二区域的剩余高度并且所述第一区域中的所述电极焊盘的至少上表面被曝光。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,在利用所述高能光显影所述阻焊层时,根据所述曝光区域和所述未曝光区域中的所述阻焊层的内部键合强度之间的差异,所述第一区域的显影深度形成为深于所述第二区域的显影深度。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,在曝光某些区域时,通过光固化反应波长带的光来曝光和光固化除了负型的所述阻焊层的所述第一区域以外的一个或多个区域,并且

在利用所述高能光显影所述阻焊层时,通过所述光固化反应波长带之外的所述高能光显影所述阻焊层。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,在曝光某些区域时,曝光正型的所述阻焊层的所述第一区域。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,在利用所述高能光显影所述阻焊层时,将紫外光或红外光用作所述高能光。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,在利用所述高能光显影所述阻焊层时,所述第一区域的所述阻焊层的高度被显影为低于所述第一区域中的所述电极焊盘的所述上表面。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,在曝光某些区域时,所述第二区域形成在所述第一区域的外部。

8.根据权利要求1所述的方法,进一步包括后固化由所述高能光显影的所述阻焊层。

9.根据权利要求3所述的方法,进一步包括后固化由所述高能光显影的所述阻焊层。

10.根据权利要求8所述的方法,其中,被后固化的所述阻焊层的所述第一区域和所述第二区域具有形成为彼此不同的表面特性。

11.根据权利要求9所述的方法,其中,被后固化的所述阻焊层的所述第一区域和所述第二区域具有形成为彼此不同的表面特性。

12.根据权利要求10所述的方法,其中,被后固化的所述阻焊层的所述第一区域具有形成为比所述第二区域的表面粗糙度大的表面粗糙度。

13.根据权利要求8所述的方法,其中,在曝光某些区域时,所述阻焊层被划分为所述第一区域、所述第二区域以及形成在所述第一区域和所述第二区域之外的第三区域,并且利用不同的曝光能量顺序地曝光某些区域,从而形成第一曝光区域、第二曝光区域和所述未曝光区域。

在利用所述高能光显影所述阻焊层时,通过使用所述高能光来显影所述第一曝光区域和所述第二曝光区域以及所述未曝光区域,以使得所述第一区域的剩余高度低于所述第二区域的剩余高度,所述第一区域中的所述电极焊盘的至少所述上表面被曝光,并且所述第二区域的剩余高度低于所述第三区域的剩余高度。

14.根据权利要求9所述的方法,其中,在曝光某些区域时,所述阻焊层被划分为所述第一区域、所述第二区域以及形成在所述第一区域和所述第二区域之外的第三区域,并且利用不同的曝光能量顺序地曝光某些区域,从而形成第一曝光区域、第二曝光区域和所述未曝光区域,并且

在利用所述高能光显影所述阻焊层时,通过使用所述高能光来显影所述第一曝光区域和所述第二曝光区域以及所述未曝光区域,以使得所述第一区域的剩余高度低于所述第二区域的剩余高度,所述第一区域中的所述电极焊盘的至少所述上表面被曝光,并且所述第二区域的剩余高度低于所述第三区域的剩余高度。

15.根据权利要求13所述的方法,其中,被后固化的所述阻焊层的所述第一区域具有形成为比所述第二区域和所述第三区域的表面粗糙度大的表面粗糙度。

16.根据权利要求8所述的方法,其中,在曝光某些区域时,所述第二区域形成在所述第一区域的外部,并且

所述方法进一步包括通过在被后固化的所述阻焊层上涂布、部分地曝光和显影额外的阻焊剂来形成从所述第二区域的边缘区域突出的第三区域。

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