[发明专利]一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法

权利要求书

1. 一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法，其特征在于利用光子在介质微球里发生的纳米喷射过程所造成的聚焦效应，来进行超分辨纳米光刻,具体步骤如下：

（1）清洗硅衬底，在衬底上旋涂UVN-30光刻胶胶，并烘烤使之硬化；

（2）然后使用电子束光刻机光刻；

（3）再烘烤，显影；随后立即在清水中冲洗，获得UVN-30上的半圆槽阵列结构；

（4）使用PDMS等塑料浇注材料浇注在半圆槽阵列结构上，得到浇注膜；

（5）在热板上烘干硬化，取下浇注膜，得到纳米光刻模板；

（6）在另一块硅片上旋涂另一种光刻胶，然后将步骤（5）得到的纳米光刻模板放在所述硅片上方；

（7）最后曝光，显影，获得纳米线条。

2. 根据权利要求1所述的纳米光刻方法，其特征在于步骤（1）中所述在衬底上旋涂UVN-30光刻胶的步骤为：在衬底上旋涂300-600纳米厚的UVN-30胶，并烘烤使之硬化，烘烤温度为90-130℃，烘烤时间为2-3分钟。

3. 根据权利要求1所述的纳米光刻方法，其特征在于步骤（2）中所述光刻机光刻的线条为4-20纳米线，剂量为40-500                                               ，并利用电子前向散射与背散射的作用使除了纳米线条区域之外的区域曝光。

4. 根据权利要求1所述的纳米光刻方法，其特征在于步骤（3）中所述烘烤、显影，烘烤是在90-130℃的热板上烘2-3分钟，显影为在22-24℃的CD-26中显影1-2分钟。

5. 根据权利要求1所述的纳米光刻方法，其特征在于步骤（5）中所述在热板上烘干硬化，是放在80-120℃的烘箱中放置20-30分钟。