[发明专利]一种检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法及其实现装置

权利要求书

1.一种检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法，所述扩散Zn半导体激光器包括欧姆接触层、上限制层、有源区、下限制层、衬底、扩Zn窗口区，露出的所述扩散Zn半导体激光器的腔面附近区域为所述扩Zn窗口区，其特征在于，具体步骤包括：

A、测定所述扩散Zn半导体激光器IV曲线中电流值对应的电压V，具体步骤包括：

(1)设定测试基底温度范围为20-30℃；测试夹具夹持所述扩散Zn半导体激光器，即：测试夹具正向电流端口与所述扩散Zn半导体激光器正极接触，测试夹具反向电流端口与所述扩散Zn半导体激光器负极接触；设定扫描电压初始值、扫描电压最终值及测试点数，所述扫描电压初始值取值范围为0-1V，所述扫描电压最终值取值范围为2-3V，所述测试点数取值范围为100-1000，运行现有的IV曲线测试软件，IV曲线测试软件将自动得到所述扫描电压下的电流值，并在输出设备上显示IV数据及IV曲线；所述IV曲线横坐标表示电压，单位为伏；所述IV曲线纵坐标表示电流的自然对数，单位为安；

(2)设定电流值，所述电流值的取值范围为0.001-1mA，在步骤(1)得到的所述IV曲线中得到所述电流值对应的电压V；

B、测定不扩散Zn且无其他电流旁路的半导体激光器I₁V₁曲线中电流值对应的开启电压Von，具体步骤包括：

(3)设定测试基底温度范围为20-30℃；测试夹具夹持所述不扩散Zn且无其他电流旁路的半导体激光器，即：测试夹具正向电流端口与所述不扩散Zn且无其他电流旁路的半导体激光器正极接触，测试夹具反向电流端口与所述不扩散Zn且无其他电流旁路的半导体激光器负极接触；设定扫描电压初始值、扫描电压最终值及测试点数，所述扫描电压初始值取值范围为0-1V，所述扫描电压最终值取值范围为2-3V，所述测试点数取值范围为100-1000，运行现有的IV曲线测试软件，IV曲线测试软件将自动得到所述扫描电压下的电流值，并在输出设备上显示I₁V₁数据及I₁V₁曲线；所述I₁V₁曲线横坐标表示电压，单位为伏；所述I₁V₁曲线纵坐标表示电流的自然对数，单位为安；

(4)设定电流值，所述电流值的取值范围为0.001-1mA，在步骤(3)得到的所述I₁V₁曲线中得到所述电流值对应的开启电压Von；

C、根据步骤A得到的电压V和步骤B得到的开启电压Von判定所述Zn扩散半导体激光器窗口区Zn扩散程度，具体步骤包括：

如果Von-0.05≤V≤Von，则认定Zn还未进入所述有源区或者刚进入所述有源区，量子阱混杂程度不够，Zn扩散程度不足；如果Von-0.15≤V＜Von-0.05，则认定Zn扩散程度恰好；如果V＜Von-0.15，则认定Zn进入下限制层，Zn扩散程度较重，对其器件性能产生影响。

2.根据权利要求1所述的检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法，其特征在于，测量IV曲线使用脉冲模式，输入信号占空比范围为0.1％-1％。