[发明专利]一种用于形成铜互连层的铜籽晶层的制备方法有效
| 申请号： | 201410723614.2 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104465503B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 徐文忠 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 形成 互连 籽晶 制备 方法 | ||
1.一种用于形成铜互连层的铜籽晶层的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，在所述衬底上形成铜互连沟槽；
在所述沟槽中沉积一阻挡层及超薄粘附层；
采用包含铜盐和络合剂的碱性电镀液，在所述超薄粘附层上电镀形成铜籽晶层；其中，所述超薄粘附层以Co形成，所述碱性电镀液中的所述铜盐为硫酸铜，所述络合剂为乙二胺和三乙醇胺。
2.根据权利要求1所述的铜籽晶层的制备方法，其特征在于，所述碱性电镀液中铜盐的铜离子浓度为0.03～0.06摩尔每升。
3.根据权利要求1所述的铜籽晶层的制备方法，其特征在于，通过调整所述乙二胺和三乙醇胺的浓度，来调节所述碱性电镀液的pH值为碱性。
4.根据权利要求1或3所述的铜籽晶层的制备方法，其特征在于，所述碱性电镀液中乙二胺的浓度为0.06～0.12摩尔每升,三乙醇胺的浓度为0.03～0.05摩尔每升。
5.根据权利要求1或3所述的铜籽晶层的制备方法，其特征在于，所述碱性电镀液的pH值为9～11。
6.根据权利要求1所述的铜籽晶层的制备方法，其特征在于，在所述超薄粘附层上电镀形成铜籽晶层时的电镀电流密度为1～5mA/cm2。
7.根据权利要求1所述的铜籽晶层的制备方法，其特征在于，所述沟槽的宽度为30～45nm。
8.根据权利要求1所述的铜籽晶层的制备方法，其特征在于，所述阻挡层以氮化钽、氮化钛或氮化钌形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
