[发明专利]一种冗余金属的填充方法及其系统

权利要求书

1.一种冗余金属的填充方法，其特征在于，包括步骤：

提供具有金属层的集成电路版图；

通过设计规则先排除无需进行填充的区域，将剩下的区域作为可填充区域，可填充区域中无金属层的边界；

将可填充区域划分为多个矩形区域，矩形区域的边框至少部分由金属层的边界限定，矩形区域内无金属层的边界；

根据临界间距尺寸，确定矩形区域是否需要填充，其中，该临界间距尺寸根据已有的经验公式或者特定工艺条件下可能产生缺陷的间距尺寸来获得；

将需要填充的矩形区域进行冗余金属的填充。

2.根据权利要求1所述的冗余金属的填充方法，其特征在于，选择需要填充的可填充区域进行冗余金属的填充的步骤具体包括：

设定预设参数，包括冗余金属的尺寸、间距和缓冲距离；

确定填充的行、列数；

按照设定参数和填充的行、列数进行冗余金属的填充。

3.根据权利要求1所述的冗余金属的填充方法，其特征在于，在选择需要填充的矩形区域进行冗余金属的填充之后，还包括步骤：

获取版图密度分布的异常区域，调整填充参数并进行填充。

4.根据权利要求1所述的冗余金属的填充方法，其特征在于，在选择需要填充的矩形区域进行冗余金属的填充之后，还包括步骤：

获取版图电容分布的异常区域，调整填充参数并进行填充。

5.根据权利要求3或4所述的冗余金属的填充方法，其特征在于，调整填充参数的步骤为：

重新设定预设参数，包括冗余金属的尺寸、间距和/或缓冲距离；

确定填充的行、列数；

按照设定参数和填充的行、列数进行异常区域的填充。

6.根据权利要求5所述的冗余金属的填充方法，其特征在于，根据固定密度值重新设定预设参数，具体步骤包括：

预设密度值范围以及密度波动值；

若最大密度值与当前异常区域的密度值的差值大于密度波动值，将当前异常区域的密度值设置为固定密度值，该固定密度值为最大密度值与密度波动值的差值，并根据该固定密度值重新设定预设参数。

7.一种冗余金属的填充系统，其特征在于，包括：

版图提供模块，用于提供具有金属层的集成电路版图；

可填充区域确定模块，用于通过设计规则先排除无需进行填充的区域，将剩下的区域作为可填充区域，可填充区域中无金属层的边界；

区域划分模块，用于将可填充区域划分为多个矩形区域，矩形区域的边框至少部分由金属层的边界限定，矩形区域内无金属层的边界；

填充区域确定模块，用于根据临界间距尺寸，确定矩形区域是否需要填充，其中，该临界间距尺寸根据已有的经验公式或者特定工艺条件下可能产生缺陷的间距尺寸来获得；

填充模块，用于将需要填充的可填充区域进行冗余金属的填充。

8.根据权利要求7所述的冗余金属的填充系统，其特征在于，所述填充模块包括：

参数设定单元，用于设定预设参数，包括冗余金属的尺寸、间距和缓冲距离；

行列确定单元，用于确定填充的行、列数；

填充单元，用于按照设定参数和填充的行、列数进行填充。

9.根据权利要求7所述的冗余金属的填充系统，其特征在于，还包括：

密度异常获取及填充模块，用于获取版图密度分布的异常区域，根据调整后的填充参数并进行填充。

10.根据权利要求7所述的冗余金属的填充系统，其特征在于，还包括：

电容异常获取及填充模块，用于获取版图电容分布的异常区域，根据调整后的填充参数进行填充。

11.根据权利要求9或10所述的冗余金属的填充系统，其特征在于，还包括：

参数重设单元，用于重新设定调整后的参数，包括冗余金属的尺寸、间距和/或缓冲距离，并根据所述参数确定填充的行、列数。

12.根据权利要求11所述的冗余金属的填充系统，其特征在于，还包括：

密度设定单元，用于预设密度值范围以及密度波动值；

固定参数获取单元，若最大密度值与当前异常区域的密度值的差值大于密度波动值，用于将当前异常区域的密度值设置为固定密度值，该固定密度值为最大密度值与密度波动值的差值；

其中，所述参数重设单元，根据该固定密度值重新设定预设参数。