[发明专利]一种具有内建电场的TiO2异相结紫外/深紫外探测器件及制备有效
申请号: | 201410724183.1 | 申请日: | 2014-12-02 |
公开(公告)号: | CN105720117B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 李灿;严鹏丽;冯兆池;甘阳;范峰滔;安虹宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人: | 马驰 |
地址: | 116023 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 电场 tio sub 异相结 紫外 深紫 探测 器件 制备 | ||
1.一种具有内建电场的TiO2异相结紫外/深紫外探测器件,其特征在于:包括相互叠合的TiO2金红石相薄膜和TiO2锐钛矿相薄膜;
具体步骤如下:
1)透明导电衬底的清洗
将透明导电衬底依次置于丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水中超声清洗20min,然后置于空气流下吹干;
2)水热法制备TiO2金红石相薄膜
将预先清洗好的透明导电衬底置于聚四氟乙烯内衬的水热釜中,加入含有0.1~0.3mL钛酸四丁酯的HCl和H2O体积比1:1的混合液,在150~200℃恒温2h,在FTO衬底上生长TiO2金红石相纳米棒阵列,纳米棒长度为1~3μm;
3)TiO2异相结同轴纳米棒阵列的制备
将步骤(2)所得的TiO2金红石相纳米棒阵列放入磁控溅射设备,以金属Ti靶为溅射靶材,设备首先抽真空制10-7Pa,然后在其中通入Ar:O2体积比为85:15的混合气体,调控溅射气压至1~2Pa,在300~400W的直流模式下溅射1~3h,最后将得到的双层膜在450℃热处理2~3h,从而在TiO2金红石相纳米棒上包覆一层TiO2锐钛矿相纳米颗粒,形成TiO2异相结同轴纳米棒阵列;
4)导电电极的制备
在步骤(3)制备的TiO2异相结结构表面覆盖一层多孔金属掩膜,将其放入磁控溅射设备,以ITO陶瓷靶为靶材,设备首先抽真空制10-7Pa,然后在其中通入Ar气,调控溅射气压至1Pa,在100W的射频模式下溅射1~3h,得到一层ITO导电电极;或者以金属Al靶为靶材,在100W的直流模式下溅射0.5~1h,得到一层金属Al导电电极;通过以上步骤最终制得自驱动TiO2异相结紫外探测器。
2.按照权利要求1所述的具有内建电场的TiO2异相结紫外/深紫外探测器件,其结构特征在于:自下而上依次由透明导电衬底(1),TiO2金红石相薄膜(2),TiO2锐钛矿相薄膜(3),导电电极(4)构成;
或自下而上依次由透明导电衬底(1),TiO2锐钛矿相薄膜(3),TiO2金红石相薄膜(2),导电电极(4)构成。
3.按照权利要求1或2所述的具有内建电场的TiO2异相结紫外/深紫外探测器件,其特征在于:所述的异相结为TiO2金红石相和锐钛矿相所形成的同质异相结结构。
4.按照权利要求2所述的具有内建电场的TiO2异相结紫外/深紫外探测器件,其特征在于:所述的导电电极(4)为磁控溅射的透明导电电极或金属电极。
5.按照权利要求1、2或4所述的具有内建电场的TiO2异相结紫外/深紫外探测器件,其特征在于:所述的探测器件在不施加或施加小于0.1V外加偏压的条件下,对200~385nm波段的紫外/深紫外光进行探测。
6.一种按照权利要求1所述的具有内建电场的TiO2异相结紫外/深紫外探测器件的制备方法,具体步骤如下:
1)制备TiO2金红石相或锐钛矿相薄膜;
2)制备TiO2异相结双层薄膜,即制备TiO2锐钛矿相或金红石相薄膜;
3)制备导电电极;
通过以上步骤最终制得具有内建电场的TiO2异相结紫外/深紫外探测器件。
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