[发明专利]一种硅薄膜光热吸收体的制备方法

权利要求书

1. 一种硅薄膜光热吸收体的制备方法，其特征是，包括步骤如下：

步骤1 在不锈钢衬底上采用PEMS工艺沉积第一三氧化二铬薄膜；

步骤2在三氧化二铬薄膜层上采用PEMS工艺沉积银薄膜；

步骤3在银薄膜采用PEMS工艺沉积第二三氧化二铬薄膜；

步骤4在第二三氧化二铬薄膜上采用PEMS工艺制备多晶硅层，在多晶硅层上采用HTCVD方法依次制备微晶硅层、纳米硅层和非晶硅层，形成梯度微结构硅吸收层；

步骤5 在非晶硅层采用PEMS工艺沉积氮化硅薄膜，形成氮化硅抗反射层。

2. 根据权利要求1所述的硅薄膜光热吸收体的制备方法，其特征是，所述步骤2和步骤4中，所述的第一、第二三氧化二铬薄膜柱状晶低于1.0%。

3. 根据权利要求1所述的硅薄膜光热吸收体的制备方法，其特征是，所述步骤3中，银薄膜，柱状晶低于0.5%。

4. 根据权利要求1所述的硅薄膜光热吸收体的制备方法，其特征是，所述步骤4中，所述微晶硅层、纳米硅层和非晶硅层的制备温度范围为450℃-750℃。

5. 根据权利要求1所述的硅薄膜光热吸收体的制备方法，其特征是，所述步骤4中，微晶硅层的晶态比为60%-80%，晶粒大小12nm-30nm，纳米晶硅层的晶态比为45%-55%，晶粒大小3nm-8nm。

6. 根据权利要求1所述的硅薄膜光热吸收体的制备方法，其特征是，所述步骤4中，通过调节气体流量比、热激发温度和衬底偏压参数，实现硅薄膜吸收体层中的膜层晶态比呈梯度变化。

7. 根据权利要求1所述的硅薄膜光热吸收体的制备方法，其特征是，所述步骤6中，所述氮化硅薄膜柱状晶低于0.5%。