[发明专利]基于忆阻器的含x方的Chen型超混沌系统的构建方法及电路有效
申请号: | 201410724988.6 | 申请日: | 2014-12-03 |
公开(公告)号: | CN104468080A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 王春梅 | 申请(专利权)人: | 王春梅 |
主分类号: | H04L9/00 | 分类号: | H04L9/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 256603 山东省滨州*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 忆阻器 chen 混沌 系统 构建 方法 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种混沌系统及电路实现,特别涉及一种基于忆阻器的含x方的Chen型超混沌系统的构建方法及电路。
背景技术
当前,构造四维超混沌的方法主要是在三维混沌系统的基础上,增加一维构成四维超混沌系统,忆阻器作为2008年惠普实验室新发现的物理元件,可以代替蔡氏电路中的蔡氏二极管构成四维混沌系统,在蔡氏电路中要构成超混沌则需要2个忆阻元件,因此需要五维或五维以上的系统,在具有忆阻元件的四维系统中实现超混沌的系统电路还比较少,忆阻器应用于四维超混沌系统的方法还没有被提出,这是现有技术的不足之处。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种基于忆阻器的含x方的Chen型超混沌系统的构建方法及电路:
1.基于忆阻器的含x方的Chen型超混沌系统的构建方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)含x方的Chen型混沌系统i为:
式中x,y,z为状态变量;
(2)本发明采用的忆阻器为磁控忆阻器模型ii为:
其中表示磁控忆阻,表示磁通量,m,n是大于零的参数;
(3)对ii的磁控忆阻器模型求导得忆导器模型iii为:
表示磁控忆导,m,n是大于零的参数;
(4)把磁控忆导器模型iii作为一维系统变量,加在含x方的Chen型混沌系统的第一方程上,获得一种基于忆阻器的含x方的Chen型超混沌系统iv:
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