[发明专利]基于忆阻器的含x方的Chen型超混沌系统的构建方法及电路有效

专利信息
申请号: 201410724988.6 申请日: 2014-12-03
公开(公告)号: CN104468080A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 王春梅 申请(专利权)人: 王春梅
主分类号: H04L9/00 分类号: H04L9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 256603 山东省滨州*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 基于 忆阻器 chen 混沌 系统 构建 方法 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种混沌系统及电路实现,特别涉及一种基于忆阻器的含x方的Chen型超混沌系统的构建方法及电路。

背景技术

当前,构造四维超混沌的方法主要是在三维混沌系统的基础上,增加一维构成四维超混沌系统,忆阻器作为2008年惠普实验室新发现的物理元件,可以代替蔡氏电路中的蔡氏二极管构成四维混沌系统,在蔡氏电路中要构成超混沌则需要2个忆阻元件,因此需要五维或五维以上的系统,在具有忆阻元件的四维系统中实现超混沌的系统电路还比较少,忆阻器应用于四维超混沌系统的方法还没有被提出,这是现有技术的不足之处。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种基于忆阻器的含x方的Chen型超混沌系统的构建方法及电路:

1.基于忆阻器的含x方的Chen型超混沌系统的构建方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)含x方的Chen型混沌系统i为:

dx/dt=a(y-x)dy/dt(c-a)x+cy-xzdz/dt=x2-bza=35,b=3,c=28---i]]>

式中x,y,z为状态变量;

(2)本发明采用的忆阻器为磁控忆阻器模型ii为:

其中表示磁控忆阻,表示磁通量,m,n是大于零的参数;

(3)对ii的磁控忆阻器模型求导得忆导器模型iii为:

表示磁控忆导,m,n是大于零的参数;

(4)把磁控忆导器模型iii作为一维系统变量,加在含x方的Chen型混沌系统的第一方程上,获得一种基于忆阻器的含x方的Chen型超混沌系统iv:

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