[发明专利]一种铝硅合金低倍晶粒度检测样品的制备方法在审
| 申请号： | 201410725527.0 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104458374A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 向南苗;杨志勇;帅芳;刘向阳 | 申请（专利权）人： | 湖南江滨机器(集团)有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;G01N15/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 411100 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合金 晶粒 检测 样品 制备 方法 | ||
1.一种铝硅合金低倍晶粒度检测样品的制备方法，包括以下步骤：
以稀氢氟酸溶液为络合腐蚀剂，络合腐蚀铝硅合金待测样品表面，所述稀氢氟酸溶液的体积浓度为30％～70％；
以双氧水为第一氧化剂，对所述络合腐蚀后的铝硅合金待测样品表面进行第一氧化；
以稀硝酸溶液为第二氧化剂，对所述第一氧化后的铝硅合金待测样品表面进行第二氧化，得到铝硅合金低倍晶粒度检测样品，所述稀硝酸溶液的体积浓度为5％～25％。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述稀氢氟酸溶液的体积浓度为40％～60％。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述络合腐蚀的时间为2min～10min。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述络合腐蚀具体为：
将所述稀氢氟酸溶液涂覆于所述铝硅合金待测样品表面，进行络合腐蚀。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化的时间为1min～5min。
6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化具体为：
将所述双氧水涂抹于所述络合腐蚀后的铝硅合金待测样品表面，进行第一氧化。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述稀硝酸溶液的体积浓度为10％～20％。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二氧化的时间≥1min。
9.根据权利要求1、7或8所述的制备方法，其特征在于，所述第二氧化具体为:
将所述第一氧化后的铝硅合金待测样品浸于所述稀硝酸溶液中，进行第二氧化。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二氧化后还包括水洗。
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