[发明专利]产生纳米结晶石墨的独立式薄膜方法

权利要求书

1.一种用于产生纳米结晶石墨的独立式薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：

· 提供非晶碳的独立式薄膜，

· 在惰性气氛中或者在真空中，将该独立式薄膜局部地加热到高温；以及

· 允许该独立式薄膜冷却；

作为其结果，形成纳米结晶石墨的独立式薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中通过以激光束辐照所述独立式薄膜来执行所述局部加热。

3.如权利要求2所述的方法，其中激光的波长、激光的功率、辐照区域的大小和薄膜的厚度是这样的，使得独立式薄膜在0.1 MW/m²与20 MW/m²之间局部地吸收。

4.如权利要求3所述的方法，其中激光的波长、激光的功率、辐照区域的大小和薄膜的厚度是这样的，使得独立式薄膜在0.75 MW/m²与12 MW/m²之间局部地吸收。

5.如上述权利要求中的任何一项所述的方法，其中在局部加热期间，独立式薄膜的温度局部地上升到1000 K与3700 K之间。

6.如权利要求5所述的方法，其中在局部加热期间，独立式薄膜的温度局部地上升到1625 K与3250 K之间。

7.如上述权利要求中的任何一项所述的方法，其中局部地加热独立式薄膜持续至少1秒钟。

8.如上述权利要求中的任何一项所述的方法，其中独立式薄膜具有小于1 μm的厚度。

9.如权利要求8所述的方法，其中独立式薄膜具有小于250 nm的厚度。

10.如权利要求8所述的方法，其中独立式薄膜具有小于50 nm的厚度。

11.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中在低于500 K的环境中，更具体地在室温环境中，允许所述独立式薄膜冷却。

12.如权利要求11所述的方法，其中在室温环境中，允许所述独立式薄膜冷却。

13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中在少于1 ms内，允许独立式薄膜冷却到在1000 K之下的温度。

14.如权利要求13所述的方法，其中在小于0.25 ms内，允许独立式薄膜冷却到在1000 K之下的温度。

15.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中由TEM网格支撑独立式薄膜。

16.如权利要求15所述的方法，其中由金属或者硅的TEM网格支撑独立式薄膜。

17.如前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法进一步包括以下附加步骤：在膜中形成一个或多个孔，用于传递未衍射或者衍射的电子束，作为其结果，形成透射电子显微镜的相位片或者相位掩模。

18.一种用于透射电子显微镜的部件，所述部件包括纳米结晶石墨的独立式薄膜或者由纳米结晶石墨的独立式薄膜制成。

19.如权利要求18所述的部件，其中所述部件来自相位片、相位掩模和样本载体的组。

20.一种包括如权利要求18－19中的任何一项所述的部件的透射电子显微镜。