[发明专利]直流偏压测量系统及方法与吸着力调整系统及方法

权利要求书

1.一种直流偏压测量方法，其特征在于，包含以下过程：

控制直流电源向静电夹盘中的电极供电，提供将静电夹盘上的晶圆顺利吸着的直流电压V_HV，检测稳定状态下所述直流电源的漏电流I数值；

根据所述漏电流Ｉ，并获取所述直流电源的直流电压V_HV的数值，及静电夹盘所在等离子体处理装置的系统电阻值R，基于欧姆定律I=（V_HV-V_dc-2）/R，求取晶圆上存在的第二直流偏压值V_dc-2。

2.如权利要求1所述的直流偏压测量方法，其特征在于，还包含以下过程：

获取静电夹盘的射频电源RF的电压Vpp；

根据晶圆直流偏压与所述射频电源RF的电压Vpp之间的经验公式V_dc-1=F(Vpp)，来求取晶圆上存在的第一直流偏压值V_dc-1；

再将第一直流偏压值V_dc-1反馈给直流电源，用以控制直流电源输出的初始直流电压V_HV。

3.如权利要求2所述的直流偏压测量方法，其特征在于，

通过直流电源根据所述第一直流偏压值V_dc-1反馈所产生的直流电压V_HV，其向晶圆提供的实际吸着力大于吸着晶圆所需的必要吸着力，以保证晶圆被顺利吸着。

4.如权利要求1所述的直流偏压测量方法，其特征在于，

所述系统电阻值R是直流电源的等效内阻与静电夹盘及晶圆的等效阻抗串联后的阻值；或者，所述系统电阻值R是将直流电源的等效内阻、静电夹盘及晶圆的等效阻抗、等离子体处理装置反应腔内的等离子体的等效阻抗串联后的阻值。

5.如权利要求1或2所述的直流偏压测量方法，其特征在于，

将所述第二直流偏压值V_dc-2反馈给直流电源，用以调整直流电源提供的直流电压V_HV的数值，当检测到漏电流I数值为给定电流值I’时完成对晶圆的吸着力的调整。

6.一种直流偏压测量系统，其特征在于，包含：

射频电压读取单元，其从静电夹盘的射频电源RF处，获取该射频电源RF输出的电压Vpp；

第一运算器，其接收所述射频电压读取单元获得的电压Vpp，基于经验公式V_dc-1=F(Vpp)，计算得到在静电夹盘吸着的晶圆上存在的第一直流偏压值V_dc-1并反馈给直流电源；

直流电压读取单元，其从直流电源处获取用以吸着晶圆的直流电压V_HV；

漏电流检测单元，其连接至所述直流电源进行检测得到漏电流I；

第二运算器，其分别接收所述直流电压读取单元获得的直流电压V_HV，，和所述漏电流检测单元测得的漏电流I，并根据静电夹盘所在等离子体处理装置的系统电阻值R，基于欧姆定律I=（V_HV-V_dc-2）/R计算得到当前晶圆上存在的第二直流偏压值V_dc-2。