[发明专利]一种基体表面高导电性的碳基涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种基体表面高导电性的碳基涂层，其特征是：由位于基体表面的过渡层以及位于过渡层表面的类石墨非晶碳层组成，所述的过渡层材料为铜；所述的过渡层与类石墨非晶碳层采用直流磁控溅射法沉积。

2.如权利要求1所述的基体表面高导电性的碳基涂层，其特征是：所述的基体材料是金属、绝缘体或半导体材料。

3.如权利要求1所述的基体表面高导电性的碳基涂层，其特征是：所述的铜过渡层的厚度为50～300nm。

4.如权利要求1所述的基体表面高导电性的碳基涂层，其特征是：所述的类石墨非晶碳层的厚度为100～1500nm。

5.如权利要求1所述的基体表面高导电性的碳基涂层，其特征是：其电阻率低于7×10^-6Ω·cm。

6.一种基体表面高导电性碳基涂层的制备方法，其特征是：包括以下步骤：

(1)将清洗后的基体置于磁控溅射镀膜腔体，对腔体抽真空，然后调节基体负偏压为50V～300V，采用直流磁控溅射在惰性气体氛围中，以金属铜为靶材，在基体上溅射沉积铜过渡层；

铜过渡层的厚度优选为50～300nm；

腔体气压优选在0.3～0.5Pa；

(2)在惰性气体氛围中，以高纯石墨为靶材，在铜过渡层上溅射沉积类石墨非晶碳层；

类石墨非晶碳层的厚度优选为100～1500nm；

腔体气压优选在0.3～0.5Pa。

7.如权利要求6所述的基体表面高导电性碳基涂层的制备方法，其特征是：所述的步骤(1)中，铜溅射靶功率为1.5～2.1KW。

8.如权利要求6所述的基体表面高导电性碳基涂层的制备方法，其特征是：所述的步骤(1)中，沉积铜过渡层之前，采用辉光等离子清洗基体，具体过程如下：

将基体置于真空腔体中，抽真空后通入氩气，使腔体气压在1～1.3Pa，向基体施加400～1200V负偏压，对基体进行辉光等离子体清洗。

9.如权利要求6所述的基体表面高导电性碳基涂层的制备方法，其特征是：所述的步骤(2)中，石墨溅射靶功率为1.2～2.4KW。

10.如权利要求6所述的基体表面高导电性碳基涂层的制备方法，其特征是：所述的步骤(1)中，沉积温度低于50℃；所述的步骤(2)中，沉积温度低于50℃。