[发明专利]主动元件电路基板

说明书

本发明提供一种主动元件电路基板，其包括基板、多个主动元件以及第一平坦层。主动元件设置在基板上。各主动元件包括栅极、通道层、源极以及漏极。通道层与栅极堆叠设置。源极以及漏极设置在通道层上且位于通道层的相对两侧，以定义出通道层的通道区。第一平坦层设置在基板上，其中主动元件包括至少一第一主动元件以及至少一第二主动元件。第一主动元件设置在第一平坦层与基板之间，且第一平坦层设置在第一主动元件与第二主动元件之间。第一主动元件的通道区与第二主动元件的通道区在平行基板的方向上的最小直线距离大于或等于5μm。

技术领域

本发明是有关于一种电路基板，且特别是有关于一种主动元件电路基板。

背景技术

现有的主动元件电路基板多采用非晶硅(a-Si)薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管作为切换元件。然而，随着科技的演进，已有研究指出氧化物半导体(oxidesemiconductor)薄膜晶体管相较于非晶硅薄膜晶体管，具有更高的迁移率(mobility)，且相较于低温多晶硅薄膜晶体管还具有较佳的临界电压(threshold voltage，简称：Vth)均匀性。因此，氧化物半导体薄膜晶体管有潜力成为下一代主动元件电路基板的关键元件。惟目前受限于大面积的黄光能力，氧化物半导体薄膜晶体管仍无法积集化，以致于其应用范畴受到局限，例如无法应用于逻辑元件。

发明内容

本发明提供一种主动元件电路基板，其可提供积集化的主动元件。

本发明的一种主动元件电路基板，其包括基板、多个主动元件以及第一平坦层。主动元件设置在基板上。各主动元件包括栅极、通道层、源极以及漏极。通道层与栅极堆叠设置。源极以及漏极设置在通道层上且位于通道层的相对两侧，以定义出通道层的通道区。第一平坦层设置在基板上，其中主动元件包括至少一第一主动元件以及至少一第二主动元件。第一主动元件设置在第一平坦层与基板之间，且第一平坦层设置在第一主动元件与第二主动元件之间。第一主动元件的通道区与第二主动元件的通道区在平行基板的方向上的最小直线距离大于或等于5μm。

在本发明的一实施例中，上述的各主动元件的通道层为氧化物半导体层。

在本发明的一实施例中，上述的第一平坦层为有机材料层、硅基材料层、有机材料与硅基材料的混合层或上述至少两者的堆叠层。

在本发明的一实施例中，上述的第一平坦层的厚度为0.5μm至5μm。

在本发明的一实施例中，上述的第一平坦层包括至少一贯孔，且第二主动元件通过该贯孔与第一主动元件电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的至少一第二主动元件通过第一平坦层与至少一第一主动元件电性绝缘。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件电路基板还包括第一保护层，其中第二主动元件设置在第一保护层与第一平坦层之间。

在本发明的一实施例中，上述的第一保护层为无机材料层。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件电路基板还包括第二平坦层，其中第一保护层设置在第二主动元件与第二平坦层之间。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件电路基板还包括第二保护层。第二保护层设置在第一平坦层与第一主动元件之间。

在本发明的一实施例中，上述的第一主动元件的源极与漏极的排列方向以及第二主动元件的源极与漏极的排列方向分别垂直于第一主动元件与第二主动元件的排列方向。

在本发明的一实施例中，上述的第一主动元件的源极与漏极的排列方向以及第二主动元件的源极与漏极的排列方向分别平行于第一主动元件与第二主动元件的排列方向。

在本发明的一实施例中，上述的第一主动元件的源极与漏极的排列方向以及第二主动元件的源极与漏极的排列方向分别不平行且不垂直于第一主动元件与第二主动元件的排列方向。