[发明专利]自适应电源电压的功率放大器

权利要求书

1.一种自适应电源电压的功率放大器，其特征在于，包括：

电压比较模块，用于接收第一电源电压，将所述第一电源电压与多个参考电压中的每一个参考电压分别进行比较，得到多个比较结果，并将所述多个比较结果分别输出至电流设定模块；

所述电流设定模块，用于接收所述电压比较模块输出的所述多个比较结果，根据所述多个比较结果确定所述电流设定模块的输出电流值，并将所述输出电流值输出至线性跨导电路模块；

所述线性跨导电路模块，用于接收所述电流设定模块输出的所述输出电流值，根据所述输出电流值确定所述输出级模块的输入电压值，并将所述输入电压值输出至输出级模块；

所述输出级模块，用于根据所述线性跨导电路模块确定的所述输入电压值输出对应的静态工作电流值；

运算跨导放大器，所述运算跨导放大器的输入端连接待放大的信号，所述输出跨导放大器的输出端连接所述输出级模块的输入端。

2.根据权利要求1所述的自适应电源电压的功率放大器，其特征在于，所述电压比较模块包括多个迟滞电压比较器；

多个所述迟滞电压比较器并联连接，每个所述迟滞电压比较器的负输入端分别连接所述多个参考电压中的一个参考电压，每个所述迟滞电压比较器的正输入端连接所述第一电源电压。

3.根据权利要求2所述的自适应电源电压的功率放大器，其特征在于，所述电流设定模块包括开关单元和求和单元；

所述开关单元，用于接收每个所述迟滞电压比较器输出的比较结果，并根据每个所述比较结果向所述求和单元输出对应的电流值；

所述求和单元，用于对每个所述开关单元输出的对应的电流值进行求和，得到输出电流值。

4.根据权利要求3所述的自适应电源电压的功率放大器，其特征在于，所述开关单元包括多个开关，每个所述开关的输入端与一个迟滞电压比较器的输出端连接，每个所述开关的输入端还连接一个输入电流，每个所述开关的输出端与所述求和单元连接；

若所述迟滞电压比较器输出的所述比较结果为0，则所述开关断开；

若所述迟滞电压比较器输出的所述比较结果为1，则所述开关闭合，以向所述求和单元输出与所述开关对应的输入电流值。

5.根据权利要求1所述的自适应电源电压的功率放大器，其特征在于，所述输出级模块包括P沟道增强型金属氧化物半导体场效应管MOSFET和N沟道增强型MOSFET，所述P沟道增强型MOSFET的漏极和所述N沟道增强型MOSFET的漏极连接；

所述线性跨导电路模块具体用于：

根据所述电流设定模块确定的所述输出电流值，确定所述P沟道增强型MOSFET对应的第一栅极电压和所述N沟道增强型MOSFET对应的第二栅极电压；

所述P沟道增强型MOSFET的源极连接设定的第二电源电压，所述P沟道增强型MOSFET与所述N沟道增强型MOSFET的漏极连接，所述N沟道增强型MOSFET的源极接地。

6.根据权利要求5所述的自适应电源电压功率放大器，其特征在于，所述运算跨导放大器的输出端与所述P沟道增强型MOSFET和所述N沟道增强型MOSFET的栅极连接。

7.根据权利要求5所述的自适应电源电压功率放大器，其特征在于，还包括：输出级电流保护模块，用于对所述P沟道增强型MOSFET和所述N沟道增强型MOSFET进行过流保护；

所述输出级电流保护模块的输入端与所述P沟道增强型MOSFET和所述N沟道增强型MOSFET的漏极连接；

所述输出级电流保护模块的输出端分别与所述P沟道增强型MOSFET和所述N沟道增强型MOSFET的栅极连接。

8.根据权利要求5所述的自适应电源电压功率放大器，其特征在于，所述线性跨导电路模块包括：

第一电流源、第二电流源、第一偏置电压产生模块、第二偏置电压产生模块、第一浮动电压模块、第二浮动电压模块、第一供电电源和第二供电电源；

所述第一电流源的输入端连接供电电源，所述第一电流源的输出端连接第一偏置电压产生模块和第一浮动电压模块，所述第一浮动电压模块的输出端连接所述P沟道增强型MOSFET的栅极，所述第一偏置电压产生模块和所述第一浮动电压模块并联；

所述第二电流源的输入端连接供电电源，所述第二电流源的输出端连接第二偏置电压产生模块和第二浮动电压模块，所述第二浮动电压模块的输出端连接所述N沟道增强型MOSFET的栅极，所述第二偏置电压产生模块和所述第二浮动电压模块并联。