[发明专利]一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法有效
申请号: | 201410728311.X | 申请日: | 2014-12-03 |
公开(公告)号: | CN104528828A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 赵九蓬;王晶;李垚;李娜;张秋明 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C01G39/02 | 分类号: | C01G39/02 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 侯静 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化钼 变色 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法,其特征在于是按照以下步骤实现:
一、将钼酸钠固体粉末溶于超纯水中,在磁力搅拌器上搅拌均匀,得到钼酸钠溶液,然后加入摩尔浓度为1.0~6.0mol/L的稀硝酸溶液,调节体系的pH值至1~7,得到含有钼酸钠和硝酸的混合溶液;
二、将步骤一得到的含有钼酸钠和硝酸的混合溶液转移到聚四氟乙烯反应釜中,然后放入烘箱中,控制反应温度为90~200℃,反应2~36h后过滤收集氧化钼粉末,使用无水乙醇和去离子水反复冲洗氧化钼粉末3~5次,干燥处理后的氧化钼粉末以200~800℃的温度热处理2~10h,得到热处理后的氧化钼粉末;
三、将步骤二热处理后的氧化钼粉末超声分散在超纯水中,待分散均匀后,得到含有氧化钼的浑浊液,使用胶头滴管将含有氧化钼的浑浊液滴加在基底上,干燥处理后得到氧化钼薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤一将钼酸钠固体粉末溶于超纯水中,在磁力搅拌器上搅拌20min~120min。
3.根据权利要求1所述的一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤一中所述的钼酸钠溶液的质量浓度为1%~25%。
4.根据权利要求1所述的一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤一中然后加入摩尔浓度为1.0~6.0mol/L的稀硝酸溶液,调节体系的pH值至4~6。
5.根据权利要求1所述的一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤二放入烘箱中,控制反应温度为150~200℃,反应10~20h后过滤收集氧化钼粉末。
6.根据权利要求1所述的一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤二所述的干燥处理是在60~100℃的烘箱中进行的。
7.根据权利要求1所述的一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤二干燥处理后的氧化钼粉末以300~500℃的温度热处理2~5h。
8.根据权利要求1所述的一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤三含有氧化钼的浑浊液中氧化钼的质量浓度为0.005%~5%。
9.根据权利要求1所述的一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤三使用胶头滴管将含有氧化钼的浑浊液滴加在基底上,其中浑浊液的滴加速度为每分钟18~22滴。
10.根据权利要求1所述的一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤三中所述的干燥处理是在60℃的干燥箱中进行的。
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