[发明专利]一种冗余结构随机访问存储器

权利要求书

1.一种冗余结构随机访问存储器，其特征在于，包括：两个相同的存储单元阵列、一个数据写入电路和一个数据读出电路，

其中，所述两个相同的存储单元阵列具有相同的阵列架构，并且阵列中相同地址处的存储单元具有相同的初始存储信息，

其中，所述数据写入电路用于将同一个数据同时写入所述两个相同存储阵列中相同地址处的存储单元，

其中，所述数据读出电路用于选中所述两个存储单元阵列中相同地址处的存储单元中的存储信息，当所述两个存储单元的存储信息不相同时，所述数据读出电路输出“0”，当所述两个存储单元的存储信息相同时，所述数据读出电路输出此相同的存储信息。

2.如权利要求1所述的冗余结构随机访问存储器，其特征在于，所述两个相同的存储单元阵列均由四管SRAM存储单元构成，所述四管SRAM存储单元包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，其中，所述第一NMOS管的栅极连接写字线，所述第一NMOS管的衬底连接GND，所述第一NMOS管的漏极连接第一位线，所述第二NMOS管的衬底与GND相连，所述第二NMOS管的源极连接VSSI，所述第二PMOS管的衬底与VDD相连，所述第二PMOS管的源极连接VDDI，所述第一PMOS管的栅极连接读字线，所述第一PMOS管的衬底连接VDD，所述第一PMOS管的漏连接第二位线，所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极三者于第一存储节点相互连接，所述第一PMOS管的漏极、所述第二NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极三者于第二存储节点相互连接。

3.如权利要求2所述的冗余结构随机访问存储器，其特征在于，其中，所述第一NMOS管的阈值小于所述第二NMOS管的阈值，所述第一PMOS管的阈值小于所述第二PMOS管的阈值。

4.如权利要求2所述的冗余结构随机访问存储器，其特征在于，所述VSSI为大于等于GND且小于VDD/2的内部地电压，所述VDDI为小于等于VDD且大于VDD/2的内部电源电压。

5.如权利要求1所述的冗余结构随机访问存储器，其特征在于，所述数据读出电路包括：

数据提取电路，所述数据提取电路与所述两个存储单元阵列相连，用于选中所述两个存储单元阵列中相同地址处的存储单元中的存储信息；

逻辑电路，所述逻辑电路与所述数据提取电路相连，用于判断所述两个存储单元的存储信息是否相同；

输出电路，所述输出电路与所述逻辑电路相连，其中，当所述两个存储单元的存储信息不相同时，所述输出电路输出“0”，当所述两个存储单元的存储信息相同时，所述输出电路输出此相同的存储信息。