[发明专利]反应腔室和半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括具有第一入气口和第一排气口的腔体，所述腔体内设置有基座和隔热罩，所述隔热罩将所述腔体内的空间分隔为反应子腔和隔离子腔，所述反应子腔设置有贯穿所述隔热罩的第二入气口和贯穿所述隔热罩的第二排气口，所述基座设置在所述反应子腔内，其特征在于，所述反应腔室还包括凸起结构，所述凸起结构的上表面凸出于所述腔体的底壁，所述隔热罩的底部支撑在所述凸起结构上，且所述隔热罩的底部与所述凸起结构相接触的面积小于所述隔热罩的底部面积，以使得所述隔热罩的底部的至少一部分与所述腔体的底壁分离，所述隔热罩至少包括隔热顶壁和设置在隔热顶壁两侧的隔热侧壁，且所述隔热顶壁设置于所述腔体的顶壁与所述基座之间。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述凸起结构设置在所述腔体的底壁的两端，所述隔热罩的底部的两端支撑在所述凸起结构上。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括进气管和排气管，所述进气管的出口处设置有第一法兰，所述腔体的第一入气口处设置有第二法兰，所述第一法兰和所述第二法兰对接；所述排气管的入口处设置有第三法兰，所述腔体的第一排气口处设置有第四法兰，所述第三法兰和所述第四法兰对接，所述第一法兰和所述第三法兰的内壁的底面均凸出于所述腔体的底壁表面，以形成所述凸起结构。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述腔体的顶壁的两端分别超出底壁的两端。

5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述腔体的顶壁的两端分别超出所述隔热罩的两端。

6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述第二法兰的连接端面为斜面，所述第一法兰的连接端面为与所述第二法兰相配合的斜面；所述第四法兰的连接端面为斜面，所述第三法兰的连接端面为与第四法兰相配合的斜面，所述第二法兰的连接端面和所述第四法兰的连接端面由所述腔体的顶壁至底壁的方向逐渐朝向腔体的中部倾斜。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述隔热罩包括隔热顶壁、隔热底壁和连接在所述隔热顶壁和隔热底壁之间的隔热侧壁，所述隔热底壁形成为所述隔热罩的底部。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述腔体的底壁上设置有第一通孔，所述隔热底壁上设置有第二通孔，所述基座的底部与同时穿过所述第一通孔和所述第二通孔的支撑件相连。

9.根据权利要求1至6中任意一项所述的反应腔室，其特征在于，制成所述隔热罩和所述腔体的材料包括石英。

10.一种半导体加工设备，其特征在于，该半导体加工设备包括权利要求1至9中任意一项所述的反应腔室。