[发明专利]非挥发性存储单元及其制作方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储单元，包含：

基底；

两堆叠结构，设在该基底上，其中各该堆叠结构包含浮置栅以及控制栅 位于该浮置栅上；

抹除栅，设在该基底上且位于该两堆叠结构之间，其中该抹除栅具有平 坦顶面；以及

两选择栅，分别设在该两堆叠结构外侧，其中该两选择栅具有倾斜的顶 面且相互对称。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储单元，还包含源极区域，设在该抹 除栅下方的该基底中，以及两漏极区域，分别设在该两选择栅外侧的该基底 中。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储单元，还包含一绝缘层，设在该两 控制栅上。

4.如权利要求3所述的非挥发性存储单元，其中该绝缘层为一氧化硅/ 氮化硅/氧化硅三层复合结构。

5.如权利要求1所述的非挥发性存储单元，其中该选择栅的高度高于该 控制栅。

6.如权利要求1所述的非挥发性存储单元，其中该控制栅的高度高于该 抹除栅。

7.一种非挥发性存储单元的制作方法，包含：

提供一基底；

在该基底上形成两堆叠结构，其中各该堆叠结构包含浮置栅与控制栅；

在该基底与该两堆叠结构上形成一共形的多晶硅层；

进行一全面性蚀刻制作工艺去除一预定厚度的多晶硅层，进而在该两控 制栅外侧分别形成两选择栅，其中该两选择栅具有倾斜的顶面且互相对称；

在该基底以及该两选择栅上形成一覆盖氧化层并裸露出该两堆叠结构 之间的该多晶硅层；以及

以该覆盖氧化层为掩模对该两堆叠结构之间的该多晶硅层进行一蚀刻 制作工艺，以在该两控制栅之间形成一抹除栅。

8.如权利要求7所述的非挥发性存储单元的制作方法，还包含在形成该 覆盖氧化层后在该基底上沉积一牺牲性多晶硅层，并进行化学机械研磨平坦 化该牺牲性多晶硅层。

9.如权利要求8所述的非挥发性存储单元的制作方法，还包含以该覆盖 氧化层为掩模对该两堆叠结构之间的该多晶硅层以及该牺牲性多晶硅层进 行一蚀刻制作工艺，以在该两控制栅之间形成一抹除栅。

10.如权利要求7所述的非挥发性存储单元的制作方法，还包含在形成 该抹除栅后去除该覆盖氧化层，以裸露出一逻辑电路区域上的该多晶硅层。

11.如权利要求7所述的非挥发性存储单元的制作方法，还包含图形化 裸露出的该多晶硅层，以形成该逻辑电路区域上的栅极。