[发明专利]蓝光发光元件及发光元件

权利要求书

1.一种蓝光发光元件，其特征在于，包括：

一电极层；

一第一金属层；

一第二金属层，其形成于该电极层与该第一金属层之间；以及

一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该有机材料层包括一蓝位移发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰范围为490nm至550nm。

2.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二金属层的厚度范围在5nm至20nm之间。

3.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二金属层包括金属层、纳米金属线层、高低阶梯状金属层或前述的组合。

4.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该有机材料层的厚度范围在75nm至130nm之间。

5.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该蓝位移发光层的第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层和该第二金属层之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，其中，该第二发光频谱的波峰小于该第一发光频谱的波峰。

6.如权利要求5所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二发光频谱的波峰范围小于510nm。

7.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二金属层包括一金属部及一开口部。

8.如权利要求7所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二金属层包括光栅状金属层、网格状金属层、或纳米线所组成的金属层。

9.如权利要求7所述的蓝光发光元件，其特征在于，该蓝位移发光层的第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层和该金属部之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，而该蓝位移发光层的第一发光频谱的波峰不藉由该第一金属层和该开口部而改变。

10.如权利要求9所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二发光频谱的波峰小于该第一发光频谱的波峰。

11.如权利要求9所述的蓝光发光元件，其特征在于，该金属部的面积愈大，该蓝光发光元件的发光面积愈大。

12.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该蓝光发光元件还包括至少一形成于该第二金属层与该有机材料层之间的导电层。

13.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该有机材料层更包括形成于该蓝位移发光层与该第二金属层之间的一空穴注入层和一空穴传输层，及形成于该蓝位移发光层与该第一金属层之间的一电子注入层和一电子传输层。

14.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第一金属层为一多层结构，该多层结构中靠近该有机材料层的一金属层的材料与该第二金属层的材料相同。

15.一种发光元件，其特征在于，包括：

一电极层；

一第一金属层；

一第二金属层，其形成于该电极层与该第一金属层之间；以及

一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该有机材料层包括一蓝位移发光层及一绿色发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该第二金属层之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为490nm至550nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm，且该第二发光频谱的波峰范围小于该第一发光频谱的波峰范围。

16.如权利要求15所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层包括金属层、纳米金属线层、高低阶梯状金属层或其组合。

17.如权利要求15所述的发光元件，其特征在于，该有机材料层更包括一掺杂材料，其掺杂于该蓝位移发光层或该绿色发光层。

18.如权利要求15所述的发光元件，其特征在于，该发光元件还包括一掺杂有一掺杂材料的发光层，其形成于该电极层的外侧，使该电极层夹置于该发光层与该有机材料层之间。

19.如权利要求17或18所述的发光元件，其特征在于，该掺杂材料包括红色、绿色、蓝绿色或黄色掺杂材料。

20.如权利要求15所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层的厚度范围在5nm至20nm之间。