[发明专利]双薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种双薄膜晶体管，其特征在于，包含：

一第一半导体层，设置于一基材上；

一栅极，设置于该第一半导体层上；

一第二半导体层，设置于该栅极上，其中该第一半导体层及该第二半导体层为同一导电型；

一第一绝缘层，设置于该第一半导体层与该栅极之间；

一第二绝缘层，设置于该栅极与该第二半导体层之间；

一第一源极及一第一漏极，设置于该基材与该第二绝缘层之间，且该第一半导体层接触该第一源极的一部分及该第一漏极的一部分；以及

一第二源极及一第二漏极，设置于该第二绝缘层上，且该第二半导体层接触该第二源极的一部分及该第二漏极的一部分。

2.如权利要求1所述的双薄膜晶体管，其特征在于，该第一绝缘层具有一第一开口及一第二开口彼此分离，该第一半导体层透过该第一开口及该第二开口分别接触该第一源极的该部分及该第一漏极的该部分。

3.如权利要求1所述的双薄膜晶体管，其特征在于，还包含一第三绝缘层设置于该第二半导体层上，该第三绝缘层具有一第三开口及一第四开口彼此分离，该第二半导体层分别透过该第三开口及该第四开口接触该第二源极的该部分及该第二漏极的该部分。

4.如权利要求1所述的双薄膜晶体管，其特征在于，该第二半导体层设置于该第二源极上，并直接接触该第二源极的该部分。

5.如权利要求4所述的双薄膜晶体管，其特征在于，还包含一第三绝缘层设置于该第二半导体层上，该第三绝缘层具有一第四开口，该第二半导体层透过该第四开口接触该第二漏极的该部分。

6.一种双薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成一第一半导体层于一基材上；

形成一第一绝缘层于该第一半导体层上；

形成一第一源极于该基材上，且该第一半导体层接触该第一源极的一部分；

形成一第一漏极于该基材上，且该第一半导体层接触该第一漏极的一部分；

形成一栅极于该第一绝缘层上；

形成一第二绝缘层于该栅极上；

形成一第二半导体层于该第二绝缘层上；

形成一第二源极于该第二绝缘层上，且该第二半导体层接触该第二源极的一部分；以及

形成一第二漏极于该第二绝缘层上，且该第二半导体层接触该第二漏极的一部分。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包含形成一第三绝缘层于该第二半导体层上于形成该第二半导体层步骤后，该第三绝缘层具有一第三开口及一第四开口彼此分离，并且形成该第二源极步骤包含形成该第二源极于该第三绝缘层上及该第三开口内，使该第二半导体层透过该第三开口接触该第二源极的该部分，并且形成该第二漏极步骤包含形成该第二漏极于该第三绝缘层上及该第四开口内，使该第二半导体层透过该第四开口接触该第二漏极的该部分。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，形成该第二源极步骤于形成该第二半导体层步骤前进行。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包含形成一第三绝缘层于该第二半导体层上于形成该第二半导体层步骤后及形成该第二漏极步骤前，该第三绝缘层具有一第四开口，并且形成该第二漏极步骤包含形成该第二漏极于该第三绝缘层上及该第四开口内，使该第二半导体层透过该第四开口接触该第二漏极的该部分。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，形成该栅极步骤、形成该第一源极步骤及形成该第一漏极步骤通过同一道微影蚀刻工艺进行。