[发明专利]存储器系统和包括所述存储器系统的用户装置有效
申请号: | 201410734008.0 | 申请日: | 2014-12-04 |
公开(公告)号: | CN104700896B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 郭东勋;朴起台 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王艳娇;姜长星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 系统 包括 用户 装置 | ||
提供了一种存储器系统和包括所述存储器系统的用户装置。在一个实施例中,方法包括:接收用于从存储器的存储器区域读取数据的读取请求;确定存储器区域的标识符是否存储在特性表的多个条目中的一个条目中。所述多个条目中的每个条目与不同范围的至少一个存储器区域特性相关联,并且所述多个条目中的每个条目与不同的读取条件信息相关联。所述方法还包括:如果所述确定步骤确定存储器区域的标识符存储在特性表的多个条目中的一个条目中,则获得与存储了存储器区域的标识符的条目相关联的读取条件信息;控制存储器使用获得的读取条件信息从存储器区域读取数据。
本申请要求于2013年12月4日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0150114号韩国专利申请和于2014年8月22日提交的第14/466,187号美国专利申请的优先权,所述专利申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
这里描述的本发明构思涉及一种半导体存储器装置,更具体地讲,涉及一种非易失性存储器装置和/或用于控制该非易失性存储器装置的存储器控制器。
背景技术
通常,半导体存储器被认为是数字逻辑系统设计(诸如从卫星到消费电子的基于计算机和微处理器的应用)的最重要的微电子组件。因此,包括通过扩展到更高密度和更快速度的工艺改进和技术发展的半导体存储器的制造上的进步有助于建立用于其他数字逻辑系列的性能标准。
半导体存储器装置可表征为易失性随机存取存储器(RAM)或非易失性存储器装置。在RAM中,通过诸如在静态随机存取存储器(SRAM)中设置双稳态触发器的逻辑状态或者通过如在动态随机存取存储器(DRAM)中对电容器充电来存储逻辑信息。在任一情况下,只要施加了电力就可读出和存储数据,而当电力断开时数据会丢失,因此,这些存储器被称作易失性存储器。
诸如掩膜只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的非易失性存储器能够甚至在电力断开时也存储数据。非易失性存储器数据存储模式可根据使用的制造技术而是永久的或可重复编程的。非易失性存储器用于计算机、航空、电信和消费者电子行业的各种各样的应用中的程序和微代码存储。单芯片易失性以及非易失性存储器存储模式的组合也可用于诸如非易失性SRAM(nvSRAM)的装置中以在需要快速、可编程非易失性存储器的系统中使用。另外,已经发展了几十个专用存储器架构,其中,包含用于优化其特定应用任务的性能的一些额外逻辑电路。
电荷撷取闪存(CTF)技术现正被应用于非易失性存储器装置。CTF技术是用于实现非易失性NOR和NAND闪存的半导体存储器技术。CTF技术与传统的浮栅MOSFET技术的不同之处在于,CTF技术使用氮化硅膜来存储电子,而不是浮栅结构的掺杂的多晶硅类型。这种方法允许存储器制造商降低制造成本的五种方式:(1)需要更少的工艺步骤形成电荷存储节点;(2)可使用更小的工艺尺寸(从而减小芯片尺寸和成本);(3)可在单个闪存单元上存储多个比特;(4)提高的可靠性;(5)由于电荷撷取不易受隧道氧化层中的点缺陷而导致更高的产率。
发明内容
至少一个实施例涉及一种从存储器读取的方法。
在一个实施例中,所述方法包括:接收用于从存储器的存储器区域读取数据的读取请求;确定存储器区域的标识符是否存储在特性表的多个条目中的一个条目中。所述多个条目中的每个条目与不同范围的至少一个存储器区域特性相关联,并且所述多个条目中的每个条目与不同的读取条件信息相关联。所述方法还包括:如果所述确定步骤确定存储器区域的标识符存储在特性表的多个条目中的一个条目中,则获得与存储了存储器区域的标识符的条目相关联的读取条件信息;控制存储器使用获得的读取条件信息从存储器区域读取数据。
至少一个实施例涉及一种管理读取条件信息的方法。
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