[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面牺牲层；

在所述牺牲层内形成凹槽，暴露出部分基底的表面；

形成填充满所述凹槽并覆盖牺牲层表面的金属层；

去除位于牺牲层表面的金属层，形成金属焊垫，形成金属焊垫的方法包括：在所述金属层表面形成掩膜层，所述掩膜层位置与凹槽位置对应；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述金属层，去除位于牺牲层表面的金属层；

去除牺牲层，暴露出基底的表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为绝缘介质材料。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺去除所述牺牲层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度小于金属层最大厚度的1/3。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为Al、Au或AlCu合金。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的侧壁边缘与凹槽的侧壁边缘对齐。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的侧壁边缘与凹槽的侧壁边缘之间的距离小于0.5μm。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮氧化硅。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜层的方法包括：在所述金属层表面形成掩膜材料层之后，在所述掩膜材料层表面形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行图形化，形成图形化光刻胶层；以所述图形化光刻胶层为掩膜刻蚀所述掩膜材料层形成掩膜层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述掩膜材料层形成掩膜层，所述干法刻蚀工艺采用的气体包括Cl₂、Ar和CHF₃，其中，Cl₂的流量为10sccm～50sccm，Ar的流量为20sccm～100sccm，CHF₃的流量为10sccm～50sccm，压强为10mTorr～30mTorr，功率为20W～1500W。

13.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层内形成凹槽的方法包括：在所述牺牲层表面形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光显影，形成图形化光刻胶层；以所述图形化光刻胶层为掩膜，对所述牺牲层进行刻蚀，形成凹槽。

14.根据权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺对所述牺牲层进行刻蚀，所述干法刻蚀工艺采用的气体包括：CF₄、CHF₃、O₂和Ar，其中CF₄的流量为10sccm～50sccm，CHF₃的流量为20sccm～100sccm，O₂的流量为5sccm～25sccm，Ar的流量为200sccm～500sccm，功率为250W～700W，压强为100mTorr～300mTorr。

15.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述金属层，所述干法刻蚀工艺采用的气体包括：BCl₂、Cl₂和CHF₃，其中，BCl₂的流量为50sccm～100sccm，Cl₂的流量为50sccm～100sccm，CHF₃的流量为5sccm～20sccm，压强为5mTorr～30mTorr，功率为100W～800W。