[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成牺牲图形；

采用沉积设备在所述牺牲图形和衬底上沉积侧墙材料层，在所述沉积侧墙材料层的过程中，所述沉积设备的输出射频功率在第一功率和第二功率间切换，所述第一功率和第二功率的频率不同，所述第一功率的频率大于第二功率的频率，所述沉积侧墙材料层的过程包括第一沉积和第二沉积；在第一沉积中，所述输出功率为第一功率的时间占所述第一沉积工艺总时间的比例在40％到50％之间；在第二沉积中，所述输出功率为第一功率的时间占所述第二沉积工艺总时间的比例在90％到100％之间；

刻蚀所述侧墙材料层，在所述牺牲图形侧壁形成侧墙；

去除所述牺牲图形；

以所述侧墙为掩膜刻蚀所述衬底，形成半导体图形。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，第一功率的频率大于第二功率的频率，所述沉积侧墙材料层的过程包括：第一沉积和第二沉积；在第一沉积中，所述输出射频功率为第一功率；在第二沉积中，所述输出射频功率为第二功率。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，第一功率的频率大于第二功率的频率，在所述沉积侧墙材料层的过程中，所述输出射频功率为第一功率的时间占所述沉积设备总输出射频功率时间的比例在60％到80％之间。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，第一功率为频率大于或等于40MHZ的高频功率，第二功率为频率小于40MHZ的低频功率。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述牺牲图形和衬底上沉积侧墙材料层的方法采用原子层沉积法或化学气相沉积法。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层的材料为氮化硅。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在沉积侧墙材料层的过程中，采用的沉积气体包括SiH₂Cl₂气体和氨气。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在沉积侧墙材料层的过程中，所述SiH₂Cl₂气体和氨气的流量均在20sccm到1000sccm的范围内。

9.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在沉积侧墙材料层的过程中，温度在300摄氏度到600摄氏度的范围内，气压在0.1托到10托的范围内。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在提供衬底之后，形成牺牲层之前，形成方法还包括：在所述衬底上依次形成第一阻挡层、第一氧化物硬掩膜层、无定形碳层和第二硬掩膜层；

之后，在所述第二硬掩膜层上形成所述牺牲图形和位于牺牲图形侧壁上的侧墙。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述衬底，形成半导体图形的步骤包括：

以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第二硬掩膜层，形成第一转移图形；

以所述第一转移图形为掩膜，刻蚀所述无定形碳层、第一氧化物硬掩膜层、和第一阻挡层，形成第二转移图形；

以第二转移图形为掩膜刻蚀所述衬底，形成半导体图形。