[发明专利]SRAM存储器和形成SRAM存储器的方法

权利要求书

1.一种SRAM存储器，其特征在于，包括：

第一版图，所述第一版图包括相邻的第一图形和第二图形，其中，第一图形包括N1个平行排列的第一鳍部图形，第二图形包括N2个平行排列的第二鳍部图形，且N2>N1，所述第一版图沿第一鳍部图形和第二鳍部图形的长度方向分为第一区域和第二区域，位于第一区域的第二鳍部图形对应于传输晶体管的鳍部，位于第二区域的第二鳍部图形对应于下拉晶体管的鳍部，位于第二区域的第一鳍部图形对应于上拉晶体管的鳍部，所述传输晶体管、下拉晶体管和上拉晶体管均为鳍式场效应晶体管；

第二版图，包括两条平行排列的第一栅极图形和第二栅极图形，第一栅极图形适于形成传输晶体管的栅极，第二栅极图形适于形成下拉晶体管和上拉晶体管的栅极；

第三版图，包括若干覆盖图形，所述覆盖图形与待形成SRAM存储器结构对应，其中，当上拉晶体管需要的鳍部数量为n1、下拉晶体管需要的鳍部数量为n2，传输晶体管需要的鳍部数量为n3时，所述覆盖图形适于覆盖位于第一区域的N1个第一鳍部图形、位于第一区域的N2-n3个第二鳍部图形、位于第二区域的N2-n2个第二鳍部图形、以及位于第二区域的N1-n1个第一鳍部图形，被覆盖的第一鳍部图形和第二鳍部图形对应于需要被去除的鳍部。

2.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，第一鳍部图形的数量N1等于上拉晶体管需要的鳍部数量为n1。

3.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，第一鳍部图形数量N1为第二鳍部图形数量N2的3倍。

4.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，第一鳍部图形数量为1，第二鳍部图形数量为3。

5.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，下拉晶体管需要的鳍部数量n2范围为1～3，上拉晶体管需要的鳍部数量n1为1，传输晶体管需要的鳍部数量n3范围为1～3。

6.根据权利要求5所述的SRAM存储器，其特征在于，下拉晶体管需要的鳍部数量n2大于或等于传输晶体管需要的鳍部数量n3，传输晶体管需要的鳍部数量n3大于或等于上拉晶体管需要的鳍部数量n1。

7.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第三版图内的覆盖图形适于覆盖远离第一鳍部图形一侧的第二鳍部图形。

8.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，当所述覆盖图形覆盖第二鳍部图形时，所述覆盖图形沿第二鳍部图形长度方向的边缘与未被覆盖的第二鳍部图形之间的距离为相邻第二鳍部图形之间的间距的1/4～3/4。

9.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第一版图包括相邻的第一部分和第二部分，所述第一图形、第二图形位于第一部分内，所述第二部分内图形与第一部分内图形中心对称；所述第二版图包括相邻的第三部分和第四部分，所述第一栅极图形和第二栅极图形位于第三部分内，所述第四部分内的图形与第三部分内图形中心对称；所述第三版图包括第五部分和第六部分，所述覆盖图形位于第五部分内，所述第六部分内图形与第五部分内图形中心对称。