[发明专利]一种高深宽比介质纳米结构和半导体材料的制作方法在审
| 申请号： | 201410734929.7 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN105717752A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张瑞英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高深 介质 纳米 结构 半导体材料 制作方法 | ||
1.一种高深宽比介质纳米结构的制作方法，其特征在于：采用微缩投影式曝光在位于衬底上的介质膜表面形成纳米级分辨率图案，然后将该图案转移到介质膜上，形成具有高深宽比的介质纳米结构，所述介质纳米结构的深宽比大于1。
2.根据权利要求1所述的高深宽比介质纳米结构的制作方法，其特征在于：所述介质纳米结构的深度小于2μm，所述介质纳米结构的宽度小于1000nm。
3.根据权利要求1所述的高深宽比介质纳米结构的制作方法，其特征在于：所述介质纳米结构为一维栅状结构或二维网格状结构。
4.根据权利要求1所述的高深宽比介质纳米结构的制作方法，其特征在于：所述衬底的材料为Si或GaAs。
5.根据权利要求1所述的高深宽比介质纳米结构的制作方法，其特征在于：所述介质膜的材质为SiN、SiO2、Al2O3或TiO2。
6.一种半导体材料的制作方法，其特征在于，包括采用权利要求1所述的方法在衬底上制作具有高深宽比的介质纳米结构，在所述介质纳米结构内生长外延层。
7.根据权利要求6所述的半导体材料的制作方法，其特征在于：所述外延层的材质采用与基底材料晶格失配的III-V族材料。
8.根据权利要求6所述的半导体材料的制作方法，其特征在于：以光刻版图案为单元，在所述衬底上重复制作以获得大面积的介质纳米结构，并在此大面积介质纳米结构内外延晶格失配材料。
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