[发明专利]一种后光栏取像镜头在审
申请号: | 201410735710.9 | 申请日: | 2014-12-04 |
公开(公告)号: | CN104459942A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 邓斌;陈枫;李萍;卢波;张龙;舒旭东;林敬;王滨;冯纪旭 | 申请(专利权)人: | 四川红光汽车机电有限公司 |
主分类号: | G02B13/00 | 分类号: | G02B13/00 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 611730 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 后光栏取像 镜头 | ||
技术领域
本发明涉及后光栏取像镜头,尤其涉及进行视频监控中1/3inCCD图像采集的后光栏取像镜头。
背景技术
目前,随着具有摄像功能的监控设备的兴起,光学取像镜头的需求日渐提高。而一般光学取像镜头的感光元件不外乎是感光耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)或互补性氧化金属半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor Sensor,CMOS Sensor)两种。且由于工艺技术的精进,使得感光元件的像素尺寸缩小,光学取像镜头逐渐往高像素领域发展,因此,对成像品质的要求也日益增加。
传统光学取像镜头,多采用三片式透镜结构为主,如中国专利201020258995.9所公开的一种三镜片光学取像镜头中所示。但由于传统光学取像镜头相对孔径较小,成像质量一般,显然仍存在有缺陷,需要进一步改进。
就光学取像镜头的设计而言,其现有技术在设计光学取像镜头技术领域,是为各种不同光学目的的应用,而产生不同变化或组合,因其使用透镜形状、组合、作用或功效不同,即可视为具有新颖性或创造性。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种后光栏取像镜头。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:一种后光栏取像镜头,它包括根据光线的入射方向依次排列的第一至第四透镜、限制光线通过的后光栏和CCD靶面,其中
所述的第一透镜为弯月型透镜,曲面背着光线的入射方向弯曲;
所述的第二透镜为双凹透镜;
所述的第三透镜为平凹透镜,曲面背着光线的入射方向弯曲;
所述的第四透镜为双凸透镜;
所述的后光栏取像镜头的焦距为64.6~71.4mm,相对孔径为1∶4,视场角为4°×3°。
所述的第一透镜由S1、S2两个曲面构成,其中S1的曲面半径R1为22.686~25.074mm,S2的曲面半径R2为83.315~92.085mm,所述的第一透镜的在光轴上的厚度d1为4.75~5.25mm。
所述的第二透镜由S3、S4两个曲面构成,其中S3的曲面半径R3为-67.0215~-60.6385mm,S4的曲面半径R4为60.6385~67.0215mm,所述的第二透镜的在光轴上的厚度d3为1.425~1.575mm。
所述的第三透镜由S5、S6两个面构成,其中S5为平面,S6为曲面且S6的曲面半径R6为28.3005~31.2795mm,所述的第三透镜的在光轴上的厚度d5为1.9~2.1mm。
所述的第四透镜由S7、S8两个曲面构成,其中S7的曲面半径R7为60.496~66.864mm,S8的曲面半径R8为-35.658~-32.262mm,所述的第四透镜的在光轴上的厚度d7为4.275~4.725mm。
所述的第二透镜与第一透镜之间的光轴上的间距d2为1.52~1.68,第三透镜与第二透镜之间的光轴上的间距d4为0.6175~0.6825,第四透镜与第三透镜之间的光轴上的间距d6为0.76~0.84,后光栏与第四透镜之间的光轴上的间距d8为5.7~6.3,后光栏与CCD靶面在光轴上的间距为d9为50.825~56.175。
所述的第一、四透镜材质的Nd为1.74,Vd为44.9;第二透镜材质的Nd为1.72,Vd为29.5;第三透镜材质的Nd为1.65,Vd为33.8。
本发明具有以下优点:本发明的成像点的弥散斑,均已接近高斯极限,它的像散、场曲,已达到平场成像的要求,且保证了较小畸变的状态,并且后光栏取像镜头,具有大相对孔径和较佳的成像质量的优点,通过该后光栏取像镜头与匹配的1/3inCCD进行的图像采集,其输出的视频图像像质高。
附图说明
图1为本发明的后光栏取像镜头实施例的光学系统示意图;
图2为本发明的后光栏取像镜头实施例的光线追迹示意图;
图3为本发明的后光栏取像镜头实施例的成像点的弥散斑示意图;
图4为本发明的后光栏取像镜头实施例的象散、场曲及畸变示意图;
图5为本发明的后光栏取像镜头实施例的MTF(光学传递函数)示意图;
图中,1-第一透镜,2-第二透镜,3-第三透镜,4-第四透镜,5-后光栏,6-CCD靶面。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的描述,本发明的保护范围不局限于以下所述:
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