[发明专利]氧等离子体刻蚀聚二甲基硅氧烷表面形貌的方法

权利要求书

1.一种利用氧等离子体对聚二甲基硅氧烷表面形貌进行刻蚀的方法，其特征是将制备的PDMS印章，置于氧等离子体气氛下，对PDMS印章进行刻蚀，得到表面微结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征是改变氧等离子体的处理时间，得到具有不同高度的表面微结构。

3.如权利要求1所述的方法，其特征是制备具有规整微结构的CD表面微结构的方法，其特征是步骤如下：

1)、用胶带将CD光盘顶层的涂漆保护层粘掉，得到具有规整微结构的CD模板；

2)、将PDMS预聚体和交联剂按质量比为(5-20):1混合后，用玻璃棒充分搅拌形成均匀的预聚物；

3)、将混合好的预聚物在循环水式多用真空泵中脱气后，浇注到步骤1)制备的CD模板表面，60-90摄氏度加热2-4小时进行交联；

4)、将PDMS从CD模板缓慢揭下，得到具有CD模板负向微结构的PDMS印章；

5)、将制备的PDMS印章剪切成正方形，置于氧等离子体气氛下，改变氧等离子体的处理时间，对PDMS印章进行刻蚀，得到具有不同高度的表面微结构。