[发明专利]一种LED全彩显示阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种LED全彩显示阵列，包括：

制作在透明面板上的导光层，所述导光层包括阵列图形和通道图形；

蓝光LED超小芯片阵列，其粘接在所述透明面板上，且与所述导光层的通道图形连接；

制作在透明面板上的第一反射镜，所述第一反射镜制作在透明面板上除导光层和蓝光LED超小芯片阵列之外的位置；

第二反射镜，其制作在所述第一反射镜和导光层之上；

其中，所述蓝光LED超小芯片阵列的光通过所述导光层上的通道图形导到所述导光层上的阵列图形而放大。

2.如权利要求1所述的LED全彩显示阵列，其中，所述透明面板背面还涂覆有荧光粉。

3.如权利要求1所述的LED全彩显示阵列，其中，所述蓝光LED超小芯片阵列中所有芯片共用一个N电极或几个一组共用一个N电极。

4.如权利要求1所述的LED全彩显示阵列，其中，所述蓝光LED超小芯片阵列为n行×m列阵列，n和m为正整数。

5.如权利要求1所述的LED全彩显示阵列，其中，导光层阵列图形是由正方形图形组成的x行×y列阵列，x，y为正整数，其中，该阵列图图形中的正方形图形的总数与所述蓝光LED超小芯片阵列中的芯片总数相等。

6.如权利要求1所述的LED全彩显示阵列，其中，所述蓝光LED超小芯片阵列中的每个芯片为正方形或长方形，边长范围为50um～200um。

7.一种如权利要求1所述的LED全彩显示阵列的制作方法，其包括：

制作蓝光LED超小芯片阵列；

在透明面板上制作第一反射镜和导光层；

将所述蓝光LED超小芯片阵列粘接在所述透明面板上；

制作第二反射镜。

8.如权利要求7所述的制作方法，其中，所述制作蓝光LED超小芯片阵列包括：

在衬底上依次生长N型氮化镓、多量子阱材料和P型氮化镓；

刻蚀掉部分多量子阱材料和P型氮化镓，形成由N型氮化镓相连的芯片阵列；

在所述芯片阵列的每个芯片的P型氮化镓表面制作P电极，并在阵列每行一侧制作共用的N电极，形成蓝光LED超小芯片阵列。

9.如权利要求7所述的制作方法，其中，所述在透明面板上制作第一反射镜和导光层包括：

在透明面板上沉积高反射率材料，并刻蚀形成正方形阵列图形，保留所述正方形阵列图形之外的高反射率材料，形成第一反射镜；

在透明面板上涂覆导光胶，刻蚀掉除所述正方形阵列图形和通道图形之外的导光胶，形成导光层。

10.如权利要求7所述的制作方法，其中，所述制作第二反射镜包括：

在透明面板上沉积高反射率材料，并刻蚀掉蓝光LED超小芯片阵列上面的高反射率材料，形成第二反射镜。