[发明专利]一种ITO膜磁控溅射磁悬浮车靶均匀加热装置及其方法

权利要求书

1.一种ITO膜磁控溅射磁悬浮车靶均匀加热装置，是由：连续性真空磁控溅射镀膜设备室(1)，真空室温控门(2)，真空门加热器(3)，真空门均温加热器(3-1)，磁控溅射磁悬浮车靶装置(4)，真空墙体上加热器(5)，真空墙体中间加热器(6)，真空墙体下加热器(7)，真空室温控后墙体(8)，钐钴磁铁装置(9)构成；其特征在于：连续性真空磁控溅射镀膜设备室(1)的一侧设置真空室温控门(2)，另一侧设置真空室温控后墙体(8)；真空室温控后墙体(8)与真空室温控门(2)之间对应设置磁控溅射磁悬浮车靶装置(4)，磁控溅射磁悬浮车靶装置(4)上方对应设置钐钴磁铁装置(9)；

真空室温控门(2)一侧设置至少一列真空门加热器(3)，每列真空门加热器(3)横向均布设置为至少三个；且每列真空门加热器(3)的两侧分别竖向设置至少一个真空门均温加热器(3-1)；

真空室温控门(2)一侧设置两列真空门加热器(3)，每列真空门加热器(3)横向均布设置为五个；且每列真空门加热器(3)的两侧分别竖向设置一个真空门均温加热器(3-1)；真空室温控后墙体(8)上部一侧设置至少一个真空墙体上加热器(5)，真空室温控后墙体(8)下部一侧设置至少一个真空墙体下加热器(7)；真空墙体下加热器(7)与真空墙体上加热器(5)之间设置至少一个真空墙体中间加热器(6)。

2.根据权利要求1所述的一种ITO膜磁控溅射磁悬浮车靶均匀加热装置，其特征在于：真空室温控后墙体(8)上部一侧横向均布设置两个真空墙体上加热器(5)，真空室温控后墙体(8)下部一侧横向均布设置至少两个真空墙体下加热器(7)；每个真空墙体下加热器(7)与真空墙体上加热器(5)之间纵向均布设置五个真空墙体中间加热器(6)；真空门加热器(3)、真空门均温加热器(3-1)与真空墙体上加热器(5)、真空墙体中间加热器(6)、真空墙体下加热器(7)均设置为矩形栅栏状结构，分别设置于磁控溅射磁悬浮车靶装置(4)两侧。

3.根据权利要求2所述的一种ITO膜磁控溅射磁悬浮车靶均匀加热装置的方法，其特征在于：具体的工艺方法如下：启动运行ITO膜连续性真空磁控溅射镀膜设备，将连续性真空磁控溅射镀膜设备室(1)内抽真空，使本底真空度为5×10^-4Pa-6.8×10^-4Pa，通入溅射气体氩气Ar和作为补充成分的氧气O₂；在真空的条件下，磁控溅射磁悬浮车靶装置(4)上装载至少一块矩形靶材，采用由3-10％SnO₂和90％-97％In₂O₃组成的粉末经热、静压烧结的陶瓷靶材，控制真空门加热器(3)、真空门均温加热器(3-1)与真空墙体上加热器(5)、真空墙体中间加热器(6)、真空墙体下加热器(7)均对于磁控溅射磁悬浮车靶装置(4)上的靶材均匀加热，调节基板衬底预热温度，整版均匀达到50℃-200℃，预备在清洁的玻璃基片上沉积ITO薄膜；

运行磁控溅射磁悬浮车靶装置(4)，以0.5-1m/min的速度匀速前进，同时，对玻璃基片进行直流磁控溅射，溅射功率为4KW-5KW，溅射时工作压强为0.4-0.6Pa，将通入的氩气Ar的流量调节为120-160sccm，氧气O₂的流量调节为3-7sccm，并且控制真空门加热器(3)、真空门均温加热器(3-1)与真空墙体上加热器(5)、真空墙体中间加热器(6)、真空墙体下加热器(7)均对于磁控溅射磁悬浮车靶装置(4)上的靶材均匀充分加热1-3分钟，调节基板衬底温度，整版均匀达到200℃-350℃；

得到了在玻璃衬底上制备的ITO薄膜，膜厚均为30nm，然后进行镀膜退火；制成电阻率为2×10^-4Ω/cm、透过率为90％以上的ITO膜的成品，包装入库。