[发明专利]液晶显示装置及其移位寄存器有效
申请号: | 201410737063.5 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN104464817B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 虞晓江;张鑫;夏军 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G11C19/28 | 分类号: | G11C19/28;G09G3/36 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电位控制电路 移位寄存器 存储电路 反相电路 液晶显示装置 低电平信号 反相 液晶显示面板 移位寄存单元 扫描线充电 输出 电平信号 节点提供 无边框 窄边框 放电 良率 前级 制程 存储 | ||
1.一种移位寄存器,具有多个移位寄存单元,其特征在于,每一所述移位寄存单元包括接收并暂时存储前级讯号的存储电路、电位控制电路以及为液晶显示面板的扫描线充电和放电的反相电路,所述电位控制电路和所述反相电路之间具有第一节点,所述存储电路和所述电位控制电路之间具有第二节点,所述存储电路用于在第一时序信号的控制下选择性将接收的电平信号反相后输出至所述第二节点,所述电位控制电路用于为所述第一节点提供低电平信号,所述反相电路用于在第二时序信号的控制下选择性将所述电位控制电路提供的低电平信号反相后输出;
其中,所述存储电路包括输入端、第一开关管、第二开关管、第一反相器和第二反相器,所述第一开关管和所述第一反相器之间具有第三节点,所述第一开关管的控制端连接外部电路以接收所述第一时序信号,所述第一开关管的第一端连接所述输入端以接收上一级移位寄存单元的输出信号,所述第一开关管的第二端连接所述第三节点,所述第二开关管的控制端连接所述外部电路以接收所述第一时序信号,所述第二开关管的第一端连接所述第二反相器,所述第二开关管的第二端连接所述第三节点;
所述电位控制电路包括第七开关管、第八开关管和第九开关管,所述第七开关管的控制端连接所述第二节点,所述第七开关管的第一端连接所述第二节点,所述第七开关管的第二端连接所述第一节点,所述第八开关管的控制端连接外部电路以接收所述第二时序信号,所述第八开关管的第一端连接所述第二节点,所述第八开关管的第二端连接所述第一节点,所述第九开关管的控制端连接所述外部电路以接收所述第二时序信号,所述第九开关管的第一端连接所述外部电路以接收高电平信号,所述第九开关管的第二端连接所述第一节点;
所述反相电路包括第十开关管、第十一开关管和输出端,所述第十开关管的控制端连接所述第一节点,所述第十开关管的第一端连接外部电路以接收高电平信号,所述第十开关管的第二端连接所述输出端,所述第十一开关管的控制端连接所述第一节点,所述第十一开关管的第一端连接外部电路以接收低电平信号,所述第十一开关管的第二端连接所述输出端。
2.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一开关管为N型MOS管,所述第一开关管的控制端、第一端和第二端分别为所述N型MOS管的栅极、源极和漏极,所述第二开关管为P型MOS管,所述第二开关管的控制端、第一端和第二端分别为所述P型MOS管的栅极、源极和漏极。
3.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一反相器包括第三开关管和第四开关管,所述第二反相器包括第五开关管和第六开关管,所述第三开关管的控制端连接所述第三节点,所述第三开关管的第一端连接外部电路以接收高电平信号,所述第三开关管的第二端连接所述第二节点,所述第四开关管的控制端连接所述第三节点,所述第四开关管的第一端连接外部电路以接收低电平信号,所述第四开关管的第二端连接所述第二节点,所述第五开关管的控制端连接所述第二节点,所述第五开关管的第一端连接外部电路以接收高电平信号,所述第五开关管的第二端连接所述第二开关管的第一端,所述第六开关管的控制端连接所述第二节点,所述第六开关管的第一端连接外部电路以接收低电平信号,所述第六开关管的第二端连接所述第二开关管的第一端。
4.根据权利要求3所述的移位寄存器,其特征在于,所述第三开关管为P型MOS管,所述第三开关管的控制端、第一端和第二端分别为所述P型MOS管的栅极、源极和漏极,所述第四开关管为N型MOS管,所述第四开关管的控制端、第一端和第二端分别为所述N型MOS管的栅极、源极和漏极,所述第五开关管为P型MOS管,所述第五开关管的控制端、第一端和第二端分别为所述P型MOS管的栅极、源极和漏极,所述第六开关管为N型MOS管,所述第六开关管的控制端、第一端和第二端分别为所述N型MOS管的栅极、源极和漏极。
5.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第七开关管为N型MOS管或P型MOS管,所述第七开关管的控制端、第一端和第二端分别为所述N型MOS管或所述P型MOS管的栅极、源极和漏极,所述第八开关管为N型MOS管,所述第八开关管的控制端、第一端和第二端分别为所述N型MOS管的栅极、源极和漏极,所述第九开关管为P型MOS管,所述第九开关管的控制端、第一端和第二端分别为所述P型MOS管的栅极、源极和漏极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410737063.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:氢核聚变反应器
- 下一篇:一种串行双端复制位线电路