[发明专利]MEMS静电驱动器的制作方法有效
| 申请号： | 201410737216.6 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105712290B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 荆二荣 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 静电 驱动器 制作方法 | ||
1.一种MEMS静电驱动器的制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供第一基片和第二基片；
在所述第一基片的正面形成第一金属层并图形化以形成第一金属板、连接线和第一接触电极，第一金属板和第一接触电极通过连接线连接，第一金属板和第一基片作为第一电极板，所述第一接触电极作为连接所述第一电极板和外界电路的连接点；
在所述第二基片的背面刻蚀出与所述第一金属板、连接线和第一接触电极大小对应的凹部；
将所述第一基片的正面和所述第二基片的背面相对键合，使所述第一金属板、连接线和第一接触电极对应落在所述凹部范围中；
对所述第二基片进行正面减薄；
在所述第二基片的正面形成第三金属层并图形化以形成第二接触电极；
在所述第二基片的正面与所述第一金属板对应的区域刻蚀出与所述第一金属板位置对应的第二电极板、以及刻蚀出连接第二电极板和第二基片其他部分的悬臂梁，并刻蚀所述第二基片的正面所述第一接触电极对应的区域以暴露所述第一接触电极，所述第二接触电极作为连接所述第二电极板和外界电路的连接点。
2.根据权利要求1所述的MEMS静电驱动器的制作方法，其特征在于，在将所述第一基片的正面和所述第二基片的背面相对键合的步骤之前还包括：在所述凹部上形成第二金属层并图形化以形成第二金属板；所述第二金属板与所述第一金属板位置对应，所述第二电极板包含所述第二金属板。
3.根据权利要求1所述的MEMS静电驱动器的制作方法，其特征在于，所述第一基片为玻璃。
4.根据权利要求1所述的MEMS静电驱动器的制作方法，其特征在于，所述第二基片为电阻率为0.001Ω·cm～0.01Ω·cm的硅片。
5.根据权利要求1所述的MEMS静电驱动器的制作方法，其特征在于，所述第二基片为单晶硅。
6.根据权利要求1所述的MEMS静电驱动器的制作方法，其特征在于，所述凹部深1～100微米。
7.根据权利要求1所述的MEMS静电驱动器的制作方法，其特征在于，在所述第二基片的正面刻蚀时采用干法刻蚀工艺。
8.根据权利要求2所述的MEMS静电驱动器的制作方法，其特征在于，通过淀积工艺形成所述第一金属层、第二金属层、第三金属层中至少之一。
9.根据权利要求2所述的MEMS静电驱动器的制作方法，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层中至少之一为铝层或金层。
10.根据权利要求2所述的MEMS静电驱动器的制作方法，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层中至少之一厚0.4～1微米。
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