[发明专利]一种工业硅精炼提纯方法

权利要求书

1.一种工业硅精炼提纯方法，其特征在于，在真空电弧炉中，以工业硅棒为自耗阴极，以导电坩埚作为阳极，其中所述导电坩埚中盛装有精炼渣；在高温及真空条件下对电弧炉引弧后，工业硅棒自耗阴极自下端逐步熔化滴落到阳极坩埚中，工业硅熔滴中的气体杂质及易挥发杂质挥发散出，被抽真空装置抽出炉外；工业硅熔滴滴落到阳极坩埚后，通过渣-金反应及元素交换使不易挥发的杂质进入精炼渣中，当工业硅棒阴极熔化完成后，去除精炼渣，获得精炼提纯后的硅纯度达到5N-7N。

2.根据权利要求1所述的工业硅精炼提纯方法，其特征在于，所述高温是指温度为1600～1700℃，所述真空条件是指真空度为10^-4～10^-2Pa。

3.根据权利要求1所述的工业硅精炼提纯方法，其特征在于，所述工业硅棒通过熔铸法制成。

4.根据权利要求1所述的工业硅精炼提纯方法，其特征在于，所述工业硅棒通过使用工业硅碎粒压制烧结制成。

5.根据权利要求3或4所述的工业硅精炼提纯方法，其特征在于，所述工业硅棒的初始纯度为Si含量不低于99.5％。

6.根据权利要求1所述的工业硅精炼提纯方法，其特征在于，所述精炼渣的组成中，以质量百分比计算：SiO₂为30～50％，SiC为5～15％，Si为1～10％，MgO为0.1～0.5％，Al₂O₃为15～25％，CaO为15～25％，FeO为0.1～0.5％。

7.根据权利要求1所述的工业硅精炼提纯方法，其特征在于，所述精炼渣的组成中，以质量百分比计算：SiO₂为30～50％，CaO为5～15％，余量为CaF₂。

8.根据权利要求6或7所述的工业硅精炼提纯方法，其特征在于，所述精炼渣初始为预先熔制的熔融液态。