[发明专利]斜槽刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410737528.7 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105712291B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李成强 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 斜槽 下电极 电源 下电极功率 腔室压强 低频电源 电极电源 反应腔室 刻蚀表面 刻蚀气体 设置方式 反应腔 硅片 侧壁 平直 室内 | ||
1.一种斜槽刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
向反应腔室内通入SF6、O2和C4F8作为刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜槽；其中，
所述下电极电源为低频电源；
所述下电极电源的下电极功率、所述反应腔室的腔室压强以及所述SF6、O2和C4F8的流量的设置方式为：提高所述下电极功率、腔室压强和O2的流量，同时降低所述SF6和C4F8的流量，以使得所述斜槽的侧壁平直，同时提高刻蚀速率；
所述低频电源的射频频率范围在350～450KHz；
所述低频电源的脉冲频率的取值范围在500～1500Hz；
所述低频电源的占空比与加载下电极功率的时间成正相关关系；
所述下电极功率的取值范围在30～40W；
所述腔室压强的取值范围在100～200mT，所述O2的流量的取值范围在100～200sccm，所述C4F8的流量的取值范围在10～50sccm，所述SF6的流量的取值范围在300～400sccm。
2.如权利要求1所述的斜槽刻蚀方法，其特征在于，所述低频电源的射频频率为430KHz，所述低频电源的脉冲频率为1000Hz，所述低频电源的占空比为30％。
3.如权利要求1所述的斜槽刻蚀方法，其特征在于，所述腔室压强的取值范围在120～150mT，所述O2的流量为150sccm，所述C4F8的流量为30sccm，所述SF6的流量为300sccm。
4.如权利要求1所述的斜槽刻蚀方法，其特征在于，所述斜槽刻蚀方法所采用的冷却器温度为20～40℃。
5.如权利要求4所述的斜槽刻蚀方法，其特征在于，所述斜槽刻蚀方法所采用的冷却器温度为20℃。
6.如权利要求1所述的斜槽刻蚀方法，其特征在于，所述上电极电源的上电极功率的取值范围在2000～3000W。
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