[发明专利]光电子部件和用于制造光电子部件的方法有效
申请号: | 201410738195.X | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN104701344B | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | L.迪特马尔;D.梅因霍尔德 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/48;H01L27/15;H01L33/62;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;徐红燕 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 部件 用于 制造 方法 | ||
1.一种光电子部件,包括:
电子电路结构,其包括电子电路和在所述电子电路之上设置的金属化结构,所述金属化结构包括电连接到所述电子电路的一个或者多个接触焊盘;
在所述金属化结构之上设置的光电子结构,所述光电子结构包括与所述一个或者多个接触焊盘直接接触的镜面底部电极以及布置在所述镜面底部电极之上的光电子层堆叠,所述光电子层堆叠包括透明顶部电极和布置在所述镜面底部电极与所述透明顶部电极之间的电致发光层,其中所述镜面底部电极包括无电电镀导电材料,
其中所述一个或多个接触焊盘包括与所述镜面底部电极直接接触的第一接触焊盘以及与布置在所述光电子结构外部的接合焊盘接触的第二接触焊盘。
2.根据权利要求1所述的光电子部件,
其中所述电子电路包括互补金属氧化物半导体电路。
3.根据权利要求1所述的光电子部件,
其中所述电子电路的至少部分被配置为用于所述光电子结构的驱动电路。
4.根据权利要求1所述的光电子部件,
其中所述光电子结构被配置为选自光电子设备的组的光电子设备,所述组由以下各项构成:
发光设备;
光伏电池;以及
光电子传感器。
5.根据权利要求1所述的光电子部件,
其中所述光电子结构包括至少一个发光二极管。
6.根据权利要求5所述的光电子部件,
其中所述至少一个发光二极管包括至少一个有机发光二极管。
7.根据权利要求1所述的光电子部件,
其中所述金属化结构的所述一个或者多个接触焊盘包括铜和铝中的至少一项。
8.根据权利要求1所述的光电子部件,
其中所述镜面底部电极包括以下材料组中的至少一个材料,所述组由以下各项构成:银;金;以及铜。
9.根据权利要求1所述的光电子部件,
其中所述金属化结构包括导电地连接到外围电子部件的至少一个第一接触焊盘和导电地连接到所述镜面底部电极的至少一个第二接触焊盘。
10.根据权利要求1所述的光电子部件,
其中所述镜面底部电极包括多个镜面底部电极,所述多个镜面底部电极中的每个镜面底部电极耦合到所述金属化结构的所述一个或者多个接触焊盘中的对应接触焊盘。
11.根据权利要求1所述的光电子部件,
其中所述金属化结构的所述一个或者多个接触焊盘被横向地嵌入到介电材料中,其中所述一个或者多个接触焊盘中的每个的表面的至少部分无所述介电材料。
12.根据权利要求11所述的光电子部件,
其中所述多个接触焊盘中的所述接触焊盘包括金属结构和衬垫结构,所述衬垫结构至少部分地围绕所述金属结构以提供在所述金属结构与所述介电材料之间的扩散屏障。
13.根据权利要求1所述的光电子部件,还包括:
在所述金属化结构之上设置的钝化层结构,其中所述光电子结构的所述镜面底部电极被横向地嵌入在所述钝化层结构中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的