[发明专利]一种磷化铟基高电子迁移率晶体管结构及制备方法在审
| 申请号： | 201410738640.2 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104465750A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 艾立鹍;徐安怀;齐鸣;周书星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/12;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 铟基高 电子 迁移率 晶体管 结构 制备 方法 | ||
1.一种磷化铟高电子迁移率晶体管结构，其特征在于采用半绝缘单抛的InP(100)衬底，采用GSMBE工艺先在InP衬底上外延生长一层In0.52Al0.48As缓冲层，然后依次生长In0.53Ga0.47As沟道层、In0.52Al0.48As Spacer层、Si-δ-doping掺杂层、In0.52Al0.48As垒层、InP腐蚀截止层、In0.52Al0.48As接触层以及两层掺杂浓度分别为1E19～2E19cm-3和2E19～3E19cm-3的In0.53Ga0.47As和In0.65Ga0.35As接触层。
2.按权利要求1所述的结构，其特征在于In0.52Al0.48As缓冲层的引入使材料从衬底到结构有良好的过渡，减少直接进行异质外延引起的缺陷和位错。
3.按权利要求1或2所述的结构，其特征在于：
①非掺杂的缓冲层厚度为480～500nm；
②非掺杂的In0.53Ga0.47As沟道层厚度为14～16nm；
③非掺杂的In0.52Al0.48As Spacer层厚度为3～5nm；
④Si-δ-doping层掺杂浓度为4E12cm-2～6E12cm-2；
⑤非掺杂的In0.52Al0.48As垒层的厚度为6～8nm；
⑥InP腐蚀截止层厚度为4～5nm；
⑦掺杂Si的N型In0.52Al0.48As的掺杂浓度为1E19～2E19cm-3，厚度为12～15nm；
⑧掺杂Si的N型In0.53Ga0.47As的掺杂浓度为1E19～2E19cm-3，厚度为12～15nm；
⑨掺杂Si的N型In0.65Ga0.47As的掺杂浓度为2E19～3E19cm-3，厚度为9～11nm。
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