[发明专利]热处理制作工艺在审
| 申请号： | 201410739654.6 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN105719988A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 秦海鹏 | 申请（专利权）人： | 青岛泰威机床有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 制作 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种热处理制作工艺，包含提供一待加热的半导体基底；以及利用至少两个具有不同能量密度的第一加热光束及第二加热光束同时对该半导体基底进行加热。
2.如权利要求1所述的热处理制作工艺，其中该半导体基底包含一硅晶片。
3.如权利要求1所述的热处理制作工艺，另包含同时利用该第一加热光束对该半导体基底的一正面进行一毫秒退火制作工艺以及利用该第二加热光束对该半导体基底的一背面进行一快速升温退火制作工艺。
4.如权利要求3所述的热处理制作工艺，其中该毫秒退火制作工艺的温度是介于1000℃至1350℃。
5.如权利要求3所述的热处理制作工艺，其中该毫秒退火制作工艺的时间是介于0.1毫秒至20毫秒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛泰威机床有限公司，未经青岛泰威机床有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410739654.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构的形成方法
- 下一篇：一种粉体或颗粒等离子体处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
