[发明专利]一种细晶莫来石陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种细晶莫来石陶瓷的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)按正硅酸四乙酯：乙醇溶液：去离子水的配比为1g：3.31-3.32g：1.68-1.69g，将正硅酸四乙酯溶入乙醇溶液中，加去离子水，利用盐酸调节溶液pH为1.9-2.1，充分搅拌得到溶液A；

按正硅酸四乙酯：九水合硝酸铝Al(NO₃)₃·9H₂O＝32g：172g，九水合硝酸铝Al(NO₃)₃·9H₂O：去离子水＝1g：1.31-1.32g，选取九水合硝酸铝Al(NO₃)₃·9H₂O和去离子水；将九水合硝酸铝Al(NO₃)₃·9H₂O溶入去离子水中，充分搅拌得到溶液B；

将溶液A逐渐滴加到溶液B中，老化5-6天、干燥后得到干凝胶，先经高温炉800℃热处理、球磨2h后过筛；再在快速升温条件下，1000℃预处理，保温时间3min，然后冷却，研磨10min，得到莫来石前驱体粉体；

(2)莫来石前驱体粉体在放电等离子烧结炉中烧结，烧结温度为1400℃，温度达到1150℃时开始加压，压力为80MPa，升温速率大于90℃/min；在烧结后期，在适当温度点开始降低升温速率，制备出晶粒细小的莫来石陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种细晶莫来石陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述在烧结后期，在适当温度点开始降低升温速率为：莫来石前驱体粉体烧结过程中升温速率转折温度点在1250℃～1320℃之间，升温速率转折温度点之前的升温速率在90～110℃/min之间，升温速率转折温度点之后的升温速率在10～30℃/min之间，保温时间在10～20min之间。

3.根据权利要求1所述的一种细晶莫来石陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述在烧结后期，在适当温度点开始降低升温速率为：莫来石前驱体粉体烧结过程中升温速率转折温度点在1280℃～1300℃之间，升温速率转折温度点之前的升温速率在90～100℃/min之间，升温速率转折温度点之后的升温速率在10～20℃/min之间，保温时间在15～20min之间。

4.根据权利要求1所述的一种细晶莫来石陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述快速升温为90-100℃/min。