[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

基板；

第一芯片，在所述基板上，所述第一芯片包括多个穿透硅通孔；

最上面的芯片，在所述第一芯片上，所述最上面的芯片的厚度大于所述第一芯片的厚度；

第一间隙填充部分，覆盖所述最上面的芯片的侧表面的至少一部分同时填充所述第一芯片与所述最上面的芯片之间的空间；以及

密封剂，用于密封所述第一芯片、所述最上面的芯片和所述第一间隙填充部分。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一间隙填充部分覆盖所述第一芯片的侧表面的至少一部分。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一间隙填充部分在所述最上面的芯片的上表面上不存在。

4.如权利要求1所述的半导体封装，还包括：

多个焊盘，在所述第一芯片的上表面上，所述多个焊盘电连接到所述穿透硅通孔；和

多个连接构件，在所述最上面的芯片的下表面上，所述多个连接构件联接到所述多个焊盘，

其中所述第一间隙填充部分填充所述多个连接构件之间的空间。

5.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述最上面的芯片不包括穿透硅通孔。

6.如权利要求1所述的半导体封装，其中

所述第一芯片的水平截面大于所述最上面的芯片的水平截面，并且

所述第一间隙填充部分覆盖所述第一芯片的边缘部分的上表面，所述边缘部分从所述最上面的芯片的侧表面突出。

7.如权利要求1所述的半导体封装，其中

所述第一芯片通过基板连接构件堆叠在所述基板上，并且

所述第一芯片和所述基板之间的空间用底填充物和所述密封剂中的至少一种填充。

8.如权利要求1所述的半导体封装，还包括：

至少一个第二芯片，在所述第一芯片和所述最上面的芯片之间，所述至少一个第二芯片包括多个穿透硅通孔。

9.如权利要求8所述的半导体封装，其中所述第一芯片和所述第二芯片之间的空间用第二间隙填充部分填充，所述第二间隙填充部分覆盖所述第一芯片的侧表面和所述至少一个第二芯片的侧表面中的至少一个的至少一部分。

10.一种半导体封装，包括：

第一芯片，包括多个穿透硅通孔；

多个第一连接构件，在所述第一芯片的下表面上并电连接到所述穿透硅通孔；

最上面的芯片，在所述第一芯片上；

第二连接构件，在所述最上面的芯片的下表面上并联接到所述穿透硅通孔，所述最上面的芯片的厚度大于所述第一芯片的厚度；

第一间隙填充部分，覆盖所述最上面的芯片的侧表面的至少一部分同时填充所述第一芯片和所述最上面的芯片之间的空间；以及

密封剂，用于密封所述第一芯片、所述最上面的芯片和所述第一间隙填充部分。

11.如权利要求10所述的半导体封装，其中

所述第一芯片的水平截面大于所述最上面的芯片的水平截面，以及

所述第一间隙填充部分覆盖所述第一芯片的边缘部分的上表面，所述边缘部分从所述最上面的芯片的所述侧表面突出。

12.如权利要求10所述的半导体封装，其中

所述最上面的芯片的上表面被所述密封剂暴露，所述密封剂覆盖所述最上面的芯片的所述侧表面和所述第一芯片的侧面中的至少一个的至少一部分，

所述密封剂的下表面形成与所述第一芯片的下表面基本上相同的平面。

13.如权利要求10所述的半导体封装，还包括：

至少一个第二芯片，在所述第一芯片和所述最上面的芯片之间，所述至少一个第二芯片包括多个穿透硅通孔，

其中所述第一芯片和所述第二芯片之间的空间用第二间隙填充部分填充，所述第二间隙填充部分覆盖所述第一芯片的侧表面和所述至少一个第二芯片的侧表面中的至少一个的至少一部分。

14.如权利要求10所述的半导体封装，还包括：

基底基板，在其下表面上包括外连接构件，所述基底基板上具有通过所述多个第一连接构件安装的所述第一芯片和所述最上面的芯片。