[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410742327.6 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105731358B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面形成有用于形成空腔的凹槽；
步骤S2：在所述凹槽里面形成MEMS图案；
步骤S3：在所述MEMS晶圆的正面上形成保护层，以得到包含所述MEMS图案的空腔；
步骤S4：反转所述MEMS晶圆，执行背面工艺；
步骤S5：再次反转所述MEMS晶圆；
步骤S6：去除所述MEMS晶圆正面上的所述保护层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在所述凹槽的底面上形成所述MEMS图案。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述MEMS图案的高度小于所述凹槽的深度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述保护层与所述MEMS图案的顶部之间具有间隔。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述保护层选用胶带。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，在所述MEMS 晶圆的背面形成MEMS功能图案和/或器件。
7.一种基于权利要求1至6之一所述的方法制备得到的MEMS器件。
8.一种电子装置，包括权利要求7所述的MEMS器件。
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