[发明专利]LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

在所述衬底之上依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，其中，所述透明导电层的表面设置不同间隔的多个同心弧线沟槽；

位于所述透明导电层之上与所述透明导电层电连接的P型电极，和位于所述透明导电层旁侧与所述N型半导体层电连接的N型电极；

其中，所述弧线沟槽以所述P型电极为中心，越靠近所述P型电极所述弧线沟槽的间隔越大，越远离所述P型电极所述弧线沟槽的间隔越小。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的厚度为250-300nm，所述弧线沟槽的宽度为1-3微米，所述弧线沟槽的间隔为2-15微米，所述弧线沟槽的深度为80-200nm。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：

钝化层，所述钝化层位于所述透明导电层之上除了所述P型电极的部分，以及所述透明导电层旁侧除了所述N型电极的部分。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，电极包括Cr/Ti/Au电极、Cr/Pt/Au电极和Ti/Al/Ti/Au电极中的一种或两种。

5.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上依次外延生长缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层以获得外延片；

在所述外延片上制取PN结台阶，并在制取所述PN结台阶之后的外延片上制备透明导电层；

在所述透明导电层的表面制取不同间隔的多个同心弧线沟槽；以及

制备P型电极和N型电极；其中，所述弧线沟槽以所述P型电极为中心，越靠近所述P型电极所述弧线沟槽的间隔越大，越远离所述P型电极所述弧线沟槽的间隔越小。

6.如权利要求5所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述外延片上制取PN结台阶，具体包括：

通过光刻方法在所述外延片上制备掩膜；以及

对带有掩膜的外延片进行刻蚀以获得PN结台阶。

7.如权利要求5所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在制取所述PN结台阶之后的外延片上制备透明导电层，具体包括：

采用蒸镀方法在制取所述PN结台阶之后的外延片上蒸镀透明导电层；

对所述透明导电层在氮气氛围内进行退火处理；以及

对退火处理之后的外延片进行刻蚀。

8.如权利要求7所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述透明导电层的厚度为250-300nm，在所述退火处理中，退火温度为450-540℃，退火时间为20-40分钟。

9.如权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述弧线沟槽的宽度为1-3微米，所述弧线沟槽的间隔为2-15微米，所述弧线沟槽的深度为80-200nm。

10.如权利要求9所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，制备P型电极和N型电极，具体包括：

采用光刻方法在制备所述弧线沟槽的外延片上获得电极掩膜；

采用蒸镀方法分别制备所述P型电极和N型电极；以及

在去除所述电极掩膜之后，在氮气氛围内对外延片进行热处理，其中，热处理温度为280-350℃，时间为15-25分钟。

11.如权利要求5所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在制备P型电极和N型电极之后，还包括：

在制备电极的外延片上沉积钝化层；

采用光刻、刻蚀方法对所述钝化层进行处理以获得电极部分。

12.如权利要求11所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述钝化层为二氧化硅层，所述二氧化硅层的厚度为50-100nm。