[发明专利]用于中子捕获治疗的射束整形体

权利要求书

1.一种用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体包括射束入口、靶材、邻接于所述靶材的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、与所述缓速体邻接的热中子吸收体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口，所述靶材与自所述射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束限定一根主轴，所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区，所述缓速体设置成远离射束出口的第一锥体状和与第一锥体状相反方向邻接并靠近射束出口的第二锥体状，所述反射体将偏离所述主轴的中子导回所述主轴以提高超热中子射束强度，所述热中子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。

2.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述第一锥体状包括第一侧和第二侧，所述第一锥体状沿着第二侧到第一侧的外轮廓的整体趋势逐渐变小，所述第二锥体状包括第三侧和第四侧，所述第三侧与所述第二侧相连，所述第二锥体状沿着第三侧到第四侧的外轮廓的整体趋势逐渐变小。

3.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体进一步用于加速器硼中子捕获治疗，加速器硼中子捕获治疗通过加速器将质子束加速，所述靶材由金属制成，所述质子束加速至足以克服靶材原子核库伦斥力的能量，与所述靶材发生核反应以产生中子，所述靶材容纳在所述第一锥体状内。

4.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体能将中子缓速至超热中子能区，并降低热中子及快中子含量，超热中子能区在0.5eV到40keV之间，热中子能区小于0.5eV，快中子能区大于40keV，所述缓速体由具有快中子作用截面大、超热中子作用截面小的材料制成，所述反射体由具有中子反射能力强的材料制成，所述热中子吸收体由与热中子作用截面大的材料制成，所述靶材容纳在所述缓速体内。

5.根据权利要求4所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述缓速体由D₂O、AlF₃、Fluental^TM、CaF₂、Li₂CO₃、MgF₂和Al₂O₃中的至少一种制成。

6.根据权利要求4所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述反射体由Pb或Ni中的至少一种制成。

7.根据权利要求4所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述热中子吸收体由⁶Li制成，所述热中子吸收体和所述射束出口之间设有空气通道。

8.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述辐射屏蔽包括光子屏蔽和中子屏蔽。

9.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述靶材容纳在缓速体内。

10.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述靶材容纳在远离射束出口的锥体状内。