[发明专利]半导体器件

说明书

本发明涉及一种半导体器件，其可以包括非易失性存储单元、选择信号生成单元、多个存储单元和时钟阻断单元。所述选择信号生成单元适于使用时钟生成多个选择信号；所述多个存储单元适于分别响应于所述多个选择信号存储从所述非易失性存储单元传送的数据；以及所述时钟阻断单元适于当从所述非易失性存储单元传送的数据与存储在所述多个存储单元中的数据相同时，阻断输入至所述选择信号生成单元的时钟。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年12月19日提交的申请号为10-2013-0159284的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请以参阅方式全文并入本申请。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及半导体器件。

背景技术

图1是解释半导体存储器件的修复操作的图示。

参照图1，半导体存储器件可以包括单元阵列110、行控制单元120和列控制单元130。单元阵列110可以包括多个存储单元，行控制单元120可以启用由行地址RADD选择的字线，列控制单元130可以访问(读或写)由列地址CADD选择的位线的数据。

行熔丝电路140可以将对应于单元阵列110中具有缺陷的存储单元的行地址存储为修复行地址REPAIR_RADD。行比较单元150可以将存储在行熔丝电路140中的修复行地址REPAIR_RADD与从存储器件外输入的行地址RADD进行比较。当修复行地址REPAIR_RADD与行地址RADD一致时，行比较单元150可以控制行控制单元120以启用冗余字线，而不是由行地址RADD指定的字线。

列熔丝电路160可以将对应于在单元阵列110中具有缺陷的存储单元的列地址存储为修复列地址REPAIR_CADD。列比较单元170可以将存储在列熔丝电路160中的修复列地址REPAIR_CADD与从存储器件外输入的列地址CADD进行比较。当修复列地址REPAIR_CADD与列地址CADD一致时，列比较单元170可以控制列控制单元130以访问冗余位线，而不是由列地址CADD指定的位线。

图1的熔丝电路140和160可以包括激光熔丝。激光熔丝可以根据熔丝是否断开来存储逻辑高数据或逻辑低数据。激光熔丝可以在晶片级被编程，但是在将晶片安装到封装中以后不能被编程。此外，激光熔丝由于节距限制很难设计成小尺寸。为了克服这样的缺陷，可以使用电熔丝(E-fuse)。可以使用晶体管或电容器电阻器(capacitor resistor)形成电熔丝。当使用晶体管形成电熔丝时，电熔丝通过改变在栅极和漏极/源极之间的电阻可以存储数据。

图2是例示由晶体管形成并且作为电阻器或电容器操作的电熔丝的图示。

参照图2，电熔丝可以包括晶体管T。当晶体管T能够承受的正常电源电压被施加至栅极G时，电熔丝作为电容器C工作。因此，在栅极G和漏极-源极D/S之间没有电流流动。但是，当晶体管T不能承受的高电压被施加至栅极G时，当晶体管T的栅氧化层损坏时，栅极G与漏极-源极D/S短路。然后，电熔丝作为电阻器R工作。因此，电流可以在栅极G和漏极-源极D/S之间流动。

通过在电熔丝的栅极G和漏极-源极D/S之间的电阻值可以识别电熔丝的数据。当电熔丝大时，电熔丝的数据可以被直接识别，无需单独的放大操作。另一方面，当电熔丝小时，可以使用放大器以检测穿过其晶体管T的电流流动。因为需要形成电熔丝的晶体管T较大或需要给每一个电熔丝提供用于放大数据的放大器，上述两种方法具有面积限制。

由于上述面积问题，将电熔丝应用于熔丝电路140和160并不容易。因此，已经研究将电熔丝形成在阵列中并且使用存储在电熔丝阵列中的数据执行修复操作的方法。当电熔丝形成在阵列中时，可以共享放大器以减小占用的总面积。