[发明专利]用于柔性基底的非同构层的沉积

权利要求书

1.一种用于在基底上沉积多个非同构层的方法，所述方法包括：

(a)在所述基底上沉积无机层，所述无机层包括吸附到所述基底的金属原子；

(b)将所述基底上的所述无机层暴露于含烃源前体以通过将所述含烃源前体吸附到所述无机层上来沉积第一含烃层；以及

(c)重复(a)和(b)以在所述基底上形成无机层和第一含烃层的多个层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所沉积的第一含烃层经受拉应力和压应力中的一者，并且所沉积的无机层经受所述拉应力和所述压应力中的另一者。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

(d)将所述基底上的所述第一含烃层暴露于反应物前体以增加所述基底上的所述第一含烃层的反应性；以及

(e)在重复沉积所述无机层的(a)之前通过将第二含烃源前体吸附到所述第一含烃层上来在所述第一含烃层上沉积第二含烃层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中与所述第二含烃层相比，所述第一含烃层具有较低烃含量。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述沉积第二含烃层包括：

(d1)将所述第一含烃层暴露于所述第二含烃源前体以通过将所述第二含烃源前体吸附到所述第一含烃层上来沉积所述第二含烃层；以及

(d2)将所述基底暴露于所述反应物前体以增加所沉积的第二含烃层的反应性。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述沉积第二含烃层还包括：重复(d1)和(d2)以在所述基底上的所述第二含烃层上沉积附加的第二含烃层。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述无机层具有第一厚度，所述第一含烃层和所述第二含烃层总共具有第二厚度，并且所述第一厚度与所述第二厚度的比率小于87:13。

8.根据权利要求3所述的方法，其中所述无机层为第一数量的原子层，所述第一含烃层和所述第二含烃层总共为第二数量的原子层，并且所述第一数量的原子层与所述第二数量的原子层的比率小于10:2。

9.根据权利要求3所述的方法，其中以第一沉积速率沉积所述第一含烃层，并且以大于所述第一沉积速率的第二沉积速率沉积所述第二含烃层。

10.根据权利要求3所述的方法，其中所述沉积第二含烃层包括：

(d1)将所述第一含烃层暴露于另一含烃源前体以通过将所述另一含烃源前体吸附到所述第一含烃层上来沉积所述第二含烃层，所述另一含烃源前体不同于所述含烃源前体；以及

(d2)将所述基底暴露于所述反应物前体以增加所沉积的第二含烃层的反应性。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积无机层包括：

(a1)将所述基底暴露于含金属源前体以将所述金属原子吸附到所述基底上；以及

(a2)将所述基底暴露于所述反应物前体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述基底上沉积所述无机层还包括：重复(a1)和(a2)以在所述基底上的所述无机层上沉积附加无机层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一含烃层包括金属氧烷、含烃陶瓷氧化物、含烃陶瓷氮化物、含烃导电氮化物和含烃陶瓷碳化物中的至少一种。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述含烃源前体包括硅烷偶联剂和含硅前体中的至少一种。

15.一种包括沉积在基底上的多个非同构层的产品，所述产品通过以下方法制造，所述方法包括：

(a)在所述基底上沉积无机层，所述无机层包括吸附到所述基底的金属原子；

(b)将所述基底上的所述无机层暴露于含烃源前体以通过将所述含烃源前体吸附到所述无机层上来沉积第一含烃层；以及

(c)重复(a)和(b)以在所述基底上形成无机层和第一含烃层的多个层。

16.根据权利要求15所述的产品，其中所沉积的第一含烃层经受拉应力和压应力中的一者，并且所沉积的无机层经受所述拉应力和所述压应力中的另一者。